[发明专利]基于并联谐振的非线性响应MRI图像增强超构表面器件在审
申请号: | 202110183921.6 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN114910836A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京清华长庚医院 |
主分类号: | G01R33/28 | 分类号: | G01R33/28;G01R33/36;G01R33/38;G01R33/422 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 并联 谐振 非线性 响应 mri 图像 增强 表面 器件 | ||
本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层和第七控制电路。第一电极层和第二电极层设置于第一电介质层的第一表面。第三电极层和第四电极层设置于第一电介质层的第二表面。第一电极层与第三电极层构成第二结构电容。第二电极层与第四电极层构成第三结构电容。第七控制电路连接于第一电极层和第二电极层之间,且包括第三电容、第一电感和第一开关电路。第一电感和第一开关电路串联后的电路与所述第三电容并联。第一开关电路在射频发射阶段断开,使磁场增强组件所在回路与检测部位谐振,增加磁场。第一开关电路在射频发射阶段导通,不能增强磁场。
技术领域
本申请涉及检测技术领域,特别是涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。
背景技术
传统MRI(磁共振系统)的射频线圈通过线圈谐振的方式采集人体反馈信号,人体反馈信号的强弱影响射频线圈采集到的信号质量,进而影响图像的信噪比和分辨率。
传统技术通过增加超构表面器件,不仅增加射频信号接收阶段的磁场强度,也增加射频信号发射阶段的磁场强度。传统技术中超构表面器件都是线性超构表面,不能消除超构表面对射频发射阶段的影响。射频信号发射阶段磁场强度的增加会降低检测图像的质量。
发明内容
基于此,有必要针对怎样提高检测图像质量的问题,提供一种磁场增强组件及磁场增强器件。
一种磁场增强组件,包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层和第七控制电路。所述第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。所述第一电极层和所述第二电极层间隔设置于所述第一表面。所述第三电极层和所述第四电极层间隔设置于所述第二表面。所述第一电极层在所述第一电介质层的正投影与所述第三电极层在所述第一电介质层的正投影部分重叠。所述第一电极层、所述第一电介质层和所述第三电极层构成第二结构电容。所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影与所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影部分重叠。所述第二电极层、所述第一电介质层和所述第四电极层构成第三结构电容。
所述第七控制电路包括第三电容、第一电感和第一开关电路。所述第三电容的一端与所述第一电极层连接。所述第三电容的另一端与所述第二电极层连接。所述第一电感的一端与所述第二电极层连接。所述第一开关电路连接于所述第一电感的另一端与所述第一电极层之间。所述第一开关电路用于在射频接收阶段断开。所述第一开关电路还用于在射频发射阶段导通,以使所述第七控制电路处于高阻状态。
本申请实施例提供的所述磁场增强组件,包括所述磁场增强组件中所述第一开关电路用于在射频接收阶段时断开。所述第二结构电容和所述第三结构电容通过所述第三电容连接。所述第一开关电路和所述第一电感不参与电路导通,以使所述磁场增强组件所在的回路与检测部位发射谐振,增加检测信号的场强。所述第一开关电路还用于在射频发射阶段时导通,所述第三电容与所述第一电感并联,使得所述第七控制电路处于高阻状态。所述第二结构电容和所述第三结构电容之间断路。在射频信号发射阶段,所述第二结构电容和所述第三结构电容之间几乎没有电流流通,所述磁场增强组件所在的回路产生的磁场减弱,进而减小所述磁场增强组件所在的回路对射频信号发射阶段磁场的影响,从而减小检测图像的伪影,提高检测图像的清晰度。
附图说明
为更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的剖视图;
图2为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图;
图3为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图;
图4为图3的实施例中提供的所述磁场增强组件的俯视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;北京清华长庚医院,未经清华大学;北京清华长庚医院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110183921.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。