[发明专利]基于并联谐振的非线性响应MRI图像增强超构表面器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，所述第一电介质层(100)包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)和第二电极层(120)，间隔设置于所述第一表面(101)；

第三电极层(130)和第四电极层(140)，间隔设置于所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第一电极层(110)、所述第一电介质层(100)和所述第三电极层(130)构成第二结构电容(302)，所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第二电极层(120)、所述第一电介质层(100)和所述第四电极层(140)构成第三结构电容(303)；

第七控制电路(630)，包括：

第三电容(223)，所述第三电容(223)的一端与所述第一电极层(110)连接，所述第三电容(223)的另一端与所述第二电极层(120)连接；

第一电感(241)，所述第一电感(241)的一端与所述第二电极层(120)连接；

第一开关电路(631)，连接于所述第一电感(241)的另一端与所述第一电极层(110)之间，所述第一开关电路(631)用于在射频接收阶段断开，所述第一开关电路(631)还用于在射频发射阶段导通，以使所述第七控制电路(630)处于高阻状态。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一开关电路(631)包括：

第三二极管(213)，所述第三二极管(213)的正极与所述第一电极层(110)连接，所述第三二极管(213)的负极与所述第一电感(241)的另一端连接；

第四二极管(214)，所述第四二极管(214)的正极与所述第一电感(241)的另一端连接，所述第四二极管(214)的负极与所述第一电极层(110)连接。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一开关电路(631)包括：

第五增强型MOS管(235)，所述第五增强型MOS管(235)的漏极和栅极分别与所述第一电感(241)远离所述第二电极层(120)的一端连接，所述第五增强型MOS管(235)的源极与所述第一电极层(110)连接；

第六增强型MOS管(236)，所述第六增强型MOS管(236)的漏极和栅极分别与所述第一电极层(110)连接，所述第六增强型MOS管(236)的源极与所述第一电感(241)远离所述第二电极层(120)的一端连接。

4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)还包括第一子电极层(111)和第一连接层(190)，所述第一子电极层(111)和所述第一连接层(190)连接，所述第一连接层(190)靠近所述第二电极层(120)设置，所述第一子电极层(111)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第三电容(223)的一端与所述第一连接层(190)靠近所述第一子电极层(111)的一端连接，所述第三电容(223)的另一端与所述第二电极层(120)连接，所述第一开关电路(631)连接于所述第一连接层(190)远离所述第一子电极层(111)的一端与所述第二电极层(120)之间，所述第一连接层(190)构成所述第一电感(241)。