[发明专利]一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件

说明书

本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三谐振电路。第一电介质层包括相对间隔设置的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层覆盖部分第一表面。第二电极层设置于第一表面。第二电极层与第一电极层间隔设置。第二电极层覆盖部分第一表面。第三谐振电路连接于第一电极层和第二电极层之间。第一电极层和第二电极层间隔设置于第一表面。第三谐振电路的两端分别与第一电极层和第二电极层电连接。在磁场增强组件设置第三谐振电路，使用第三谐振电路代替结构电容可以减小磁场增强组件的损耗。

技术领域

本申请涉及核磁共振成像技术，特别是涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件。

背景技术

磁共振(Magnetic Resonance Imaging，核磁共振成像技术)为非介入探测方式，是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统磁共振设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度，采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。然而静磁场强度的增加会带来如下三个问题：(1)射频(RF)场非均匀性增大，调谐难度增加；(2)人体组织产热增加，带来安全隐患，患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应：(3)购置成本大幅度增加，对大多数小规模医院来说是一种负担。因此，如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为磁共振技术中一个至关重要的问题。

传统技术方案有一种超构表面器件。所述超构表面器件包括电介质板和分别位于电介质板正面和背面的第一电极和第二电极。第二电极在电介质板上的正投影位于第一电极在电介质板上正投影的两端，以构成两个串联的结构电容。但是，两个结构电容串联时的等效电容是一个结构电容的一半。当超构表面器件用在场强较低，也就是谐振频率较低的场合时，两个结构电容串联时的等效电容需要具有较大的电容值，才能够使得所述超构表面器件的谐振频率降低到磁共振系统的工作频率。然而，两个结构电容串联时，所述超构表面器件会有较大的损耗。较大的损耗会影响超构表面器件对图像信噪比的提升效果。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种磁场增强组件和磁场增强器件。

一种磁场增强组件，包括：

第一电介质层，包括第一表面；

第一电极层，设置于所述第一表面，并覆盖部分所述第一表面；

第二电极层，设置于所述第一表面，与所述第一电极层间隔设置，并覆盖部分所述第一表面；以及

第三谐振电路，连接于所述第一电极层和所述第二电极层之间。

本申请实施例提供的所述磁场增强组件和磁场增强器件，通过设置合适的所述第三谐振电路，可以改变所述磁场增强组件所在回路的谐振频率。所述磁场增强组件所在回路的谐振频率与磁共振系统的射频线圈的频率相同时，多个所述磁场增强组件配合可以提高射频磁场的强度。在所述磁场增强组件设置所述第三谐振电路，使用所述第三谐振电路代替结构电容可以减小所述磁场增强组件的损耗。使用所述第三谐振电路代替结构电容还能够减小所述磁场增强组件与其他级联的超构表面的耦合程度，能够显著提高所述磁场增强组件的图像信噪比。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例提供的磁场增强组件侧视图；

图2为本申请一个实施例提供的磁场增强组件俯视图；

图3为本申请一个实施例提供的磁场增强组件仰视图；

图4为本申请一个实施例提供的磁场增强组件爆炸图；