[发明专利]一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，包括第一表面(101)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并覆盖部分所述第一表面(101)；

第二电极层(120)，设置于所述第一表面(101)，与所述第一电极层(110)间隔设置，并覆盖部分所述第一表面(101)；以及

第三谐振电路(400)，连接于所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)之间。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)包括第一外接电容(405)，所述第一外接电容(405)的两端分别与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)连接。

3.如权利要求2所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)之间的间隙远离所述第一电介质层(100)的中部设置，所述第一外接电容(405)设置于所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)之间的间隙。

4.如权利要求3所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电介质层(100)包括相对的第一端(103)和第二端(104)，所述第一电极层(110)由所述第二端(104)向所述第一端(103)延伸，所述第二电极层(120)由所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸，所述第一电极层(110)的长度大于所述第二电极层(120)的长度。

5.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)包括外接电感(406)，所述外接电感(406)的两端分别与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)连接。

6.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述外接电感(406)的一端与所述第一电极层(110)靠近所述第二电极层(120)的一端连接，所述外接电感(406)的另一端与所述第二电极层(120)靠近所述第一电极层(110)的一端连接。

7.如权利要求6所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)靠近所述第二电极层(120)的一端具有第三端面(105)，所述第二电极层(120)靠近所述第一电极层(110)的一端具有第四端面(106)，所述外接电感(406)的两端分别与所述第三端面(105)和所述第四端面(106)连接。

8.如权利要求6所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电介质层(100)的长度范围为100毫米到500毫米，所述第一电介质层(100)的宽度为10毫米到30毫米，所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)之间的距离为2毫米到6毫米。

9.如权利要求1所述磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)包括第一外接电容(405)和外接电感(406)，所述第一外接电容(405)和所述外接电感(406)串联于所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)之间。

10.一种磁场增强器件，其特征在于，包括：

筒形支撑结构(50)，具有两个间隔相对的第三端(51)和第四端(53)；

多个如权利要求1-9任一项所述的磁场增强组件(10)，间隔设置于所述筒形支撑结构(50)，并沿着所述第三端(51)向所述第四端(53)延伸；

第一环形导电片(510)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第三端(51)，所述第一环形导电片(510)与每个所述磁场增强组件(10)的所述第一电极层(110)电连接；以及

第二环形导电片(520)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第四端(53)，所述第二环形导电片(520)与每个所述磁场增强组件(10)的第二电极层(120)电连接。