[发明专利]薄膜热敏打印头用发热基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，包括：

绝缘基板；

蓄热底釉层，位于所述绝缘基板的一侧；

第一薄膜发热电阻体层，位于所述蓄热底釉层背离所述绝缘基板的一侧；

第二薄膜发热电阻体层，位于所述第一薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧；

导线电极层，位于所述第二薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧；所述导线电极层包括串接电极、引出电极、共通电极和键合电极；

保护层，位于所述导线电极层背离所述绝缘基板的一侧；

其中，所述串接电极和所述引出电极之间的所述第一薄膜发热电阻体层为第一发热电阻体；所述串接电极和所述引出电极之间的所述第二薄膜发热电阻体层为第二发热电阻体；在持续施加印加能量至阻值上升前时，所述第一发热电阻体的阻值下降比例不超过50％，所述第二发热电阻体阻值下降率不超过10％；

所述第一薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属和二氧化硅的复合材料；所述第二薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属、碳和硅的复合材料。

2.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述过渡金属包括钽、铌、铬、钛和钨中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述第一薄膜发热电阻体层的材料包括钽和二氧化硅的复合材料；所述第二薄膜发热电阻体层的材料包括钽、碳和硅的复合材料；

所述第一薄膜发热电阻体层和所述第二薄膜发热电阻体层中，各元素摩尔百分比满足：20％≤钽元素摩尔百分比≤60％，10％≤二氧化硅摩尔百分比≤40％，1％≤硅元素摩尔百分比≤20％，10％≤碳元素摩尔百分比≤40％。

4.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述第一薄膜发热电阻体层和所述第二薄膜发热电阻体层的厚度之和为H1，其中，10nm≤H1≤200nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述蓄热底釉层设置于所述绝缘基板的部分区域；

所述蓄热底釉层的厚度为H2，20μm≤H2≤60μm，所述蓄热底釉层的宽度为W，0.4mm≤W≤1.0mm。

6.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述绝缘基板的材料包括三氧化二铝。

7.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述导线电极层的材料包括铝，且所述导线电极层的厚度为H3，0.6μm≤H3≤1μm。

8.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述保护层包括：位于所述导线电极层背离所述绝缘基板的一侧的绝缘保护子层以及位于所述绝缘保护子层背离所述绝缘基板一侧的导电性保护子层；

所述绝缘保护子层的材料包括氮化硅、氧化硅或者氮化硅-氧化硅复合材料；

所述导电性保护子层的材料包括碳-碳化硅复合材料。

9.根据权利要求8所述的薄膜型热敏打印头用发热基板，其特征在于，所述绝缘保护子层的厚度为H4，2μm≤H4≤10μm；

所述导电性保护子层的厚度为H5，2μm≤H5≤10μm。

10.一种薄膜型热敏打印头用发热基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一绝缘基板；

在所述绝缘基板上设置蓄热底釉层；

在所述蓄热底釉层背离所述绝缘基板的一侧形成第一薄膜发热电阻体层；

在所述第一薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧形成第二薄膜发热电阻体层；

在所述第二薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧形成导线电极层，所述导线电极层包括串接电极、引出电极、共通电极和键合电极；

在所述导线电极层背离所述绝缘基板的一侧形成保护层；

其中，所述串接电极和所述引出电极之间的所述第一薄膜发热电阻体层为第一发热电阻体；所述串接电极和所述引出电极之间的所述第二薄膜发热电阻体层为第二发热电阻体；在持续施加印加能量至阻值上升前时，所述第一发热电阻体的阻值下降比例不超过50％，所述第二发热电阻体阻值下降率不超过10％；

所述第一薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属和二氧化硅的复合材料；所述第二薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属、碳和硅的复合材料。