[发明专利]存储系统

说明书

本发明的实施方式提供一种在极低温下能够稳定且低成本地进行动作的存储系统。实施方式的存储系统具备：存储器；第1衬底，供安装所述存储器，且设定为‑40℃以下；控制器，对所述存储器进行控制；及第2衬底，供安装所述控制器，设定为‑40℃以上的温度，且经由信号传输线缆与所述第1衬底进行信号收发。

[相关申请的交叉参考]

本申请享有以日本专利申请2020-117214号(申请日：2020年7月7日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本发明的一实施方式涉及一种存储系统。

背景技术

对于在较大温度变动环境下、且极低温环境下所使用的电子设备中所用到的存储器(memory)或储存器(storage)，要求其稳定地进行动作。

发明内容

本发明要解决的问题在于提供一种在极低温下能够稳定且低成本地进行动作的存储系统。

实施方式提供一种存储系统，该存储系统具备：存储器；第1衬底，供安装所述存储器，且设定为-40℃以下；控制器，对所述存储器进行控制；及第2衬底，供安装所述控制器，设定为-40℃以上的温度，且经由信号传输线缆与所述第1衬底进行信号收发。

附图说明

图1是表示一实施方式的存储系统1的概略构成的图。

图2是表示第1变化例的存储系统1的概略构成的图。

图3是表示第2变化例的存储系统1的概略构成的图。

图4是表示第3变化例的存储系统1的概略构成的图。

图5A是表示温度检测器12的第1例的图。

图5B是表示温度检测器12的第2例的图。

图6是表示NAND闪存100的构成的框图。

图7是表示三维结构的NAND闪存单元阵列的一例的电路图。

图8是三维结构的NAND闪存的NAND闪存单元阵列的部分区域的剖视图。

图9是表示本实施方式的SSD中的存储单元晶体管的阈值分布的一例的图。

图10是表示当利用键合线连接存储器芯片的垫与封装体的引脚时进行中空键合的示例的剖视图。

图11A是表示积层有多个存储器芯片的状态的立体图。

图11B是从芯片面的法线方向观察图11A的积层芯片的俯视图。

图11C是从图11B的箭头方向观察到的侧视图。

图12是示意性地表示制造图1所示的存储系统的步骤的步序图。

图13是表示本实施方式的存储系统中所使用的NAND闪存的IV特性的图。

图14是表示针对阈值电压分布重叠这一故障实施的对策的步骤的图。

图15是表示具有与多个温度条件对应的多个存储区域的存储单元阵列的内部构成的一例的图。

图16是表示在250℃下进行2小时热处理前后NAND闪存的阈值电压的变动特性的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对存储系统的实施方式进行说明。以下，以存储系统的主要构成部分为中心进行说明，但存储系统中可能存在未进行图示或说明的构成部分或功能。以下的说明并未排除未进行图示或说明的构成部分或功能。