[发明专利]存储系统在审

专利信息
申请号: 202110170851.0 申请日: 2021-02-08
公开(公告)号: CN113921047A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 佐贯朋也;飨场悠太;田中瞳;三浦正幸;松尾美惠;藤泽俊雄;前田高志 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04;G11C16/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储系统
【权利要求书】:

1.一种存储系统,具备:

存储器;

第1衬底,供安装所述存储器,且设定为-40℃以下;

控制器,对所述存储器进行控制;及

第2衬底,供安装所述控制器,设定为-40℃以上的温度,且经由信号传输线缆与所述第1衬底进行信号收发。

2.根据权利要求1所述的存储系统,其具备温度控制部,所述温度控制部将安装着所述存储器的所述第1衬底控制在-40℃以下的温度。

3.根据权利要求2所述的存储系统,其中所述存储器及所述第1衬底中的至少一者具有温度检测器,

所述控制器将所述温度检测器所检测出的温度发送给所述温度控制部,所述温度控制部基于所述温度检测器所检测出的温度,对所述第1衬底的温度进行控制。

4.根据权利要求1所述的存储系统,其中所述存储器内置有温度检测器,

所述温度检测器利用所述存储器内的导电体的电阻值来检测所述存储器的温度。

5.根据权利要求1所述的存储系统,其具有温度检测器,所述温度检测器配置在覆盖所述存储器的封装体的内部、所述封装体的表面、及所述第1衬底上的至少一个,

所述温度检测器利用产生于热电偶的电压来检测温度。

6.根据权利要求1所述的存储系统,其中所述存储器是在浮动栅极或电荷俘获膜中保存电荷的非易失性存储器。

7.根据权利要求6所述的存储系统,其中所述非易失性存储器具有NAND型闪存及NOR型闪存中的至少一者。

8.根据权利要求7所述的存储系统,其中所述非易失性存储器是内置NAND型闪存及NOR型闪存中的至少一者的SSD(Solid State Drive)。

9.根据权利要求1所述的存储系统,其中安装着所述存储器的所述第1衬底设定为77K以下的温度。

10.根据权利要求9所述的存储系统,其中所述存储器内置有在77K以下的温度下进行动作的存储器控制器。

11.根据权利要求9所述的存储系统,其中所述第1衬底配置在液态氮中。

12.根据权利要求1所述的存储系统,其具备:

封装体,具有多个用于外部连接的引脚,并且覆盖所述存储器;及

多条中空键合线,连接所述存储器所具有的多个垫与所述多个引脚。

13.根据权利要求12所述的存储系统,其中所述存储器是积层多个矩形芯片而成的积层体,

所述多条中空键合线从所述积层体各层的芯片向四边方向均等地配置。

14.根据权利要求1所述的存储系统,其中所述存储器具有存储所述存储器的动作条件的非易失性存储部,

所述非易失性存储部基于在-40℃以上的温度条件下对所述存储器被切割之前的晶圆进行测试所得的结果,在-40℃以上的温度下存储所述动作条件。

15.根据权利要求14所述的存储系统,其中所述非易失性存储部假定基于所述晶圆的测试结果,在-40℃以下的温度下进行所述非易失性存储部的读出,并在-40℃以上的温度下存储所述动作条件。

16.根据权利要求15所述的存储系统,其中所述非易失性存储部假定当在-40℃以下的温度下进行所述非易失性存储部的读出时,阈值电压高于在-40℃以上的温度下进行所述非易失性存储部的读出时的阈值电压,从而设定所述动作条件。

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