[发明专利]一种金属/DLC复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110157560.8 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112501570B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 朱剑熹;韩斐;朱勇;胡懿郃;罗浩;肖瑶;刘宇奇;贺泰来 | 申请（专利权）人： | 中南大学湘雅医院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;A61L27/04;A61L27/30;A61L27/54 |
| 代理公司： | 长沙智勤知识产权代理事务所(普通合伙) 43254 | 代理人： | 曾芳琴 |
| 地址： | 410008 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 dlc 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镁合金表面的金属/DLC复合薄膜，所述金属/DLC复合薄膜由磁控溅射法制备而得，其特征在于：所述磁控溅射法选用金属/石墨复合靶材，所述金属为Ag和Cu，所述复合靶材中金属Ag的含量为6 at.%，金属铜的含量为3.8 at.%，余量为石墨。
2.一种权利要求1所述的镁合金表面的金属/DLC复合薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
A.选用镁合金为基体材料，将其切割为20×20×5mm；
B.依次用无水乙醇、去离子水超声清洗镁合金基体5-10min，然后烘干待用；
C.选用金属/石墨复合靶材，对复合靶材进行反溅射以清除表面的氧化物杂质；
D.将镁合金放入磁控溅射镀膜机中，抽真空使本底真空度低于5Pa，通入氩气为工作气体，开启溅射电源，对镁合金基体进行磁控溅射，其中靶基距为40-50mm，溅射功率为380-450W，溅射时间为60-90min，溅射温度为100-120℃，氩气流量为120-150sccm；
E.对表面镀覆有Cu/Ag/DLC复合薄膜的镁合金材料进行热处理，以消除薄膜应力。
3.一种如权利要求2所述的镁合金表面的金属/DLC复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述镁合金为医用镁合金。
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