[发明专利]一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用

说明书

本发明公开了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。具体地，本发明公开了氧化钒缓蚀含氟剥离液在半导体器件中对待剥离材料进行剥离和清洗中的应用，其中所述氧化钒缓蚀含氟剥离液的原料包括下列组分：氟化物、烷醇胺、缓蚀剂、络合剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 901、Tetronic 904和Tetronic 908中的一种或多种。本发明的氧化钒缓蚀含氟剥离液能有效去除待剥离材料，且对例如VOX/PI/Ni等材料的光阻材料腐蚀性低。

技术领域

本发明涉及一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。

背景技术

在红外传感芯片领域，芯片制备主要依赖MEMS工艺。目前此类工艺较为先进和前卫，国内技术并未落后于国外技术，几乎是同步发展。由于技术较新，其芯片制备相关的材料和设备的开发也需同步跟进，并没有成熟的国外技术可以学习。

在MEMS工艺中需要使用光阻剥离液对芯片进行剥离清洗。在MEMS工艺中涉及的光阻包括G-line/I-line及DUV光阻等。因此，在使用光阻剥离液对光阻进行剥离清洗时，除了能够有效去除光阻残余物，还需要特别针对光阻材料中的VOX/PI/Ni等材料进行严格的保护(即对光阻材料腐蚀性低)，这对光阻清洗液提出了更高的要求。

因此本领域亟需开发一种能有效去除光阻残余物且对光阻材料(例如VOX/PI/Ni等材料)腐蚀性低的剥离液。

发明内容

本发明提供了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液、其制备方法及应用。本发明的氧化钒缓蚀含氟剥离液能有效去除待剥离材料，且对光阻材料，例如VOX/PI/Ni等材料，腐蚀性低。

本发明主要以下技术手段解决上述技术问题的。

本发明提供了一种氧化钒缓蚀含氟剥离液，其原料包括下列质量分数的组分：

0.05％-15％的氟化物、18％-40％的烷醇胺、0.5％-5％的缓蚀剂、0.5％-5％的络合剂、10％-20％的直链酰胺类有机溶剂、5％-15％的砜类和/或亚砜有机溶剂、5％-10％的醇醚类有机溶剂、5％-10％的烷酮类有机溶剂、0.05％-1.5％的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 901、Tetronic 904和Tetronic908中的一种或多种。

在一些实施例中，所述氟化物的质量分数可为2.0％-10.00％。在一些优选实施例中，所述氟化物的质量分数可为2.0％-6.0％。在一些更优选的实施例中，所述氟化物的质量分数可为5.3％。

具体地，在一些实施例中，所述氟化物的质量分数可为0.05％、2.0％、5.3％、6.0％、9.0％、10.0％、13.0％或15％。

在一些实施例中，所述烷醇胺的质量分数可为18.0％-35.0。在一些优选实施例中，所述烷醇胺的质量分数可为20.0％-29.0％。在一些更优选的实施例中，所述烷醇胺的质量分数可为25.4％。

具体地，在一些实施例中，所述烷醇胺的质量分数可为18％、20.0％、25.0％、25.4％、29.0％、30.0％、35.0％或40％。

在一些实施例中，所述缓蚀剂的质量分数可为1.2％-4.3％。在一些优选实施例中，所述缓蚀剂的质量分数可为1.8％-3.5％。在一些更优选的实施例中，所述缓蚀剂的质量分数可为2.2％。

具体地，在一些实施例中，所述缓蚀剂的质量分数可为0.50％、1.20％、1.80％、2.00％、2.20％、3.50％、4.30％或5.00％。