[发明专利]用于电容传感器的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202110154762.7 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN113295237A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 太田垣贵康;石川和义 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: G01F23/26 分类号: G01F23/26
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 电容 传感器 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于检测容器内物质的水平的电容传感器,其特征在于包括:

第一电极,所述第一电极沿着所述容器的第一竖直侧壁在所述容器的底部与所述容器的顶部之间向上延伸;

第二电极,所述第二电极沿着所述容器的上部部分设置;和

第三电极,所述第三电极沿着所述容器的下部部分设置,其中:

所述第二电极和所述第三电极彼此分开预定竖直距离;

在所述第一电极和所述第二电极之间形成第一电容;并且

在所述第一电极和所述第三电极之间形成第二电容。

2.根据权利要求1所述的电容传感器,其特征在于当所述容器中的所述物质的水平下降到低于所述第二电极的最低边缘时,出现所述第一电容和所述第二电容的变化率的拐点。

3.根据权利要求1所述的电容传感器,其特征在于:

所述第一电极沿着所述第一竖直侧壁的中间部分延伸;

所述第二电极包括两个电极区段,其中每个区段:

定位在所述第一竖直壁的相对的上侧边缘部分中;以及

通过第一间隙与所述第一电极分开;

所述第三电极包括两个电极区段,其中每个区段:

定位在所述第一竖直壁的相对的下侧边缘部分中;以及

通过第二间隙与所述第一电极分开。

4.根据权利要求3所述的电容传感器,其特征在于所述第二电极的每个区段包括延伸节段,所述延伸节段在形成于所述第一电极和所述第三电极之间的所述第二间隙中从所述区段的底部边缘向下延伸至所述第一竖直壁的底部。

5.根据权利要求3所述的电容传感器,其特征在于所述第三电极的每个区段包括延伸节段,所述延伸节段在形成于所述第一电极和所述第二电极之间的所述第一间隙中从所述区段的顶部边缘向上延伸至所述第一竖直壁的顶部。

6.一种用于使用电容传感器检测容器中物质的水平的方法,其特征在于包括:

沿着所述容器的第一竖直侧壁定位第一电极,其中所述第一电极在所述容器的底部与所述容器的顶部之间向上延伸;

沿着所述容器的上部部分定位第二电极;

定位沿着所述容器的下部部分设置的第三电极,其中所述第二电极和所述第三电极彼此分开预定竖直距离;

在所述第一电极和所述第二电极之间形成第一电容;

在所述第一电极和所述第三电极之间形成第二电容;以及

根据所述物质的表面的高度检测所述第一电容和所述第二电容的变化率的拐点。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于所述第一电极在所述容器的所述底部与所述容器的所述顶部之间具有恒定宽度。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于所述第三电极垂直于所述第一电极沿着所述容器的整个底表面设置。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:

所述第二电极沿着所述容器的至少两个竖直侧壁设置;

所述第一电极沿着所述第一竖直侧壁的中间部分延伸;并且

所述第二电极沿着所述第一竖直壁的相对的上侧边缘部分延伸。

10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于当所述容器中的所述物质的水平下降到低于所述第二电极的最低边缘时,出现所述拐点。

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