[发明专利]一种薰衣草的扦插育苗方法在审
| 申请号： | 202110141119.0 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113016378A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 董喜存 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | A01G2/10 | 分类号： | A01G2/10;A01G24/15;A01G24/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 王春霞 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薰衣草 扦插 育苗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薰衣草的扦插育苗方法，包括如下步骤：
S1、剪取10～15厘米长度的母株当年生半木质化的、且至少带有两个节的健壮枝条作为插穗；所述插穗下部距节部0.2～0.4厘米斜剪40～60度，上部距节部1/3处剪平口；
S2、采用生根剂浸泡所述插穗；
S3、经浸泡后的所述插穗进行扦插，扦插后浇水遮荫，按常规方法进行管理。
2.根据权利要求1所述的扦插育苗方法，其特征在于：步骤S2中，所述浸泡的时间为10～30分钟。
3.根据权利要求1或2所述的扦插育苗方法，其特征在于：步骤S3中，将所述插穗扦插于基质中，所述基质由质量比为1：2：7的珍株岩、草碳土和蛭石制成；
所述基质经消毒后装入穴盘内并压实，控制含水率为70～85％。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的扦插育苗方法，其特征在于：步骤S3中，所述扦插的深度为3～5厘米，株距为5～6厘米，行距为8～10厘米。
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