[发明专利]一种单晶炉及其使用方法有效
| 申请号: | 202110128365.2 | 申请日: | 2021-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN112779594B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 程国峰 | 申请(专利权)人: | 内蒙古东立光伏电子有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
| 代理公司: | 北京麦汇智云知识产权代理有限公司 11754 | 代理人: | 郭童瑜 |
| 地址: | 015000 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单晶炉 及其 使用方法 | ||
本发明公开了一种单晶炉及其使用方法,包括支撑架、炉体和固定块,所述支撑架上端位置固定设置有支撑板,所述支撑板上端位置固定安装设置有炉体,所述支撑板上端右侧位置垂直固定设置有第一支撑杆。本发明转动操作环,使竖直杆通过螺纹上下移动,调节标记块位置,使得到达合适刻度线位置,并且同时使得活塞块沿着第一空心块向下移动,使用者可根据具体需要进行调节工作,然后在使用时炉体温度升高,使得水银膨胀,当水银上端位置触碰第一触点时,说明炉体内部温度过高,此时电磁阀启动从而使得第一连接管连通,冷却水通过第一连接管进入冷却管内部位置对炉体内部进行降温,从而保证炉体内部温度,防止温度过高影响成品质量。
技术领域
本发明涉及单晶炉设备领域,具体为一种单晶炉及其使用方法。
背景技术
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
单晶直径在生长过程中可受到温度,提拉速度与转速,坩埚跟踪速度与转速,保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶,而速度将直接影响到晶体的内在质量,而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。
现有的单晶炉在使用时具有以下不足之处:
1、现有的单晶炉在使用时若温度分布合适的热场,不仅单晶生长顺利,而且品质较高;如果热场的温度不是很合理,生长单晶的过程中容易产生各种缺陷,影响质量,情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶,而现有的单晶炉不具备温度的调节功能,在长时间使用时单晶炉内部温度容易被持续加热使得温度过高,导致降低成品的质量;
2、现有的单晶炉在使用时在产品成型时有时会出现产品塌陷,使得产品掉落在石英坩埚内部位置,同时会溅出熔化状态的原料,使得原料溅出在加热器与炉体内侧壁位置,长期使用时极易使得加热器与炉体被损坏所以急需要一种装置来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单晶炉及其使用方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古东立光伏电子有限公司,未经内蒙古东立光伏电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110128365.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种民用爆炸物分类隔离存储装置
- 下一篇:一种葡萄种植大棚与葡萄种植方法





