[发明专利]存储器件和形成存储器件的方法

权利要求书

1.一种形成存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一层堆叠件，所述第一层堆叠件包括依次在所述衬底上方形成的第一介电层、第一沟道层和第一源极/漏极层；

在所述第一层堆叠件上方形成第二层堆叠件，所述第二层堆叠件包括在所述第一层堆叠件上方依次形成的第二介电层、第二沟道层和第二源极/漏极层；

形成贯穿所述第一层堆叠件和所述第二层堆叠件的开口；

通过用第一介电材料替换由所述开口暴露的所述第一源极/漏极层的第一部分和所述第二源极/漏极层的第二部分，在所述第一源极/漏极层中和所述第二源极/漏极层中形成内部间隔件；

形成所述内部间隔件后，用铁电材料做所述开口的侧壁的衬里；

在对所述开口的所述侧壁做衬里后，用导电材料填充所述开口以形成栅电极；

形成贯穿所述第一层堆叠件和所述第二层堆叠件的凹槽，所述凹槽从所述第一层堆叠件的侧壁朝向所述栅电极延伸；以及

用第二介电材料填充所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

填充所述凹槽后，通过移除所述第二层堆叠件的横向远离所述栅电极的部分以暴露所述第一层堆叠件的所述第一源极/漏极层的第一部分，从而在所述存储器件中形成第一阶梯形区。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括，在形成所述第一阶梯形区后：

在所述第一源极/漏极层的所述第一部分上形成第一源极/漏极接触件；

在所述第二源极/漏极层的第一部分上形成第二源极/漏极接触件，其中，所述第一源极/漏极层的所述第一部分和所述第二源极/漏极层的所述第一部分设置在所述栅电极的同一侧；以及

形成电耦合到所述栅电极的栅极接触件。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在形成所述开口之前在所述第二层堆叠件上方形成第三介电层，其中，形成所述开口以贯穿所述第三介电层。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括，在形成所述第二源极/漏极接触件之前，移除所述第三介电层的横向远离所述栅电极的部分以暴露所述第二源极/漏极层的所述第一部分。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述栅极接触件形成于远离所述衬底的所述栅电极的上表面上方。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述栅极接触件形成于所述第一层堆叠件之下，以便所述栅极接触件位于所述第一层堆叠件与所述衬底之间。

8.根据权利要求3所述的方法，还包括：

通过移除所述第二层堆叠件的另一部分以暴露所述第一源极/漏极层的第二部分，从而在所述存储器件中形成第二阶梯形区，其中，所述栅电极横向地位于所述第一源极/漏极层的所述第一部分与所述第一源极/漏极层的所述第二部分之间；

在所述第一源极/漏极层的所述第二部分上形成第三源极/漏接触件；以及

在所述第二源极/漏极层的第二部分上形成第四源极/漏极接触件，其中，所述栅电极横向地位于所述第二源极/漏极层的所述第一部分与所述第二源极/漏极层的所述第二部分之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，替换所述第一源极/漏极层的所述第一部分和所述第二源极/漏极层的所述第二部分包括：

进行蚀刻工艺，以移除由所述开口暴露的所述第一源极/漏极层的所述第一部分和所述第二源极/漏极层的所述第二部分；

在进行所述蚀刻工艺后，将所述第一介电材料沉积在所述开口中，其中，所述第一介电材料做所述开口的侧壁和底部的衬里，并填充所述第一源极/漏极层的所述移除的第一部分和所述第二源极/漏极层的所述移除的第二部分所留下的空间；以及

进行各向异性蚀刻工艺，以从所述开口的所述侧壁和所述底部移除所述第一介电材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一源极/漏极层的所述移除的第一部分的第一宽度和所述第二源极/漏极层的所述移除的第二部分的第二宽度等于或大于所述开口中的相邻开口之间的距离的一半。