[发明专利]一种静电释放防护电路及防护方法

权利要求书

1.一种静电释放防护电路，其特征在于，包括：

主结构，分别与电源接口和地线连接，包括第一电阻电容电路和第一正电流释放电路；

至少一个从结构，各从结构分别与所述电源接口、所述地线和与该从结构对应的IO接口连接，所述IO接口通过第一单向导通元件连接到所述电源接口，包括第二电阻电容电路、第二正电流释放电路、第一负电流释放电路和第二负电流释放电路；

所述第一电阻电容电路与所述第二电阻电容电路的电容元件为并联关系，且所述第二电阻电容电路分别共用所述第一电阻电容电路中的电阻元件；

其中，通过所述第一正电流释放电路和第二正电流释放电路，将所述电源接口和/或IO接口产生的正静电电流释放到地线，通过所述第一电阻电容电路和第二电阻电容电路共同控制正静电电流释放时间，通过所述第一负电流释放电路将所述电源接口产生的负静电电流释放到地线，通过所述第二负电流释放电路将所述IO接口产生的负静电电流释放到地线。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一单向导通元件为二极管，所述二极管的正极与该从结构对应的IO接口连接，负极与所述电源接口连接，将所述IO接口产生的正静电电流导通到所述电源接口。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一正电流释放电路/所述第二正电流释放电路包括：

反相器，输入端与所述电阻元件的一端连接，输出端与钳位电路连接，用于将输入端的电压取反输出到所述钳位电路，所述电阻元件的一端为分别与所述第一电阻电容电路和所述第二电阻电容电路中的电容元件连接的一端；

钳位电路，分别与所述反相器、所述地线和所述电源接口连接，用于在所述与所述反相器连接的第一端口的电压，高于与所述地线连接的第二端口的电压时，将所述第一端口的正静电电流释放到地线。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述钳位电路为N型场效应NMOS管，所述NMOS管的栅极与所述反相器连接，所述NMOS管的漏极与所述电源接口连接，所述NMOS管的源极与所述地线连接。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻电容电路包括：

至少一个电容元件，分别与所述电阻元件和所述地线连接；

电阻元件，一端与所述电源接口连接，另一端与所述电容元件和所述第二电阻电容电路中的电容元件连接。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二电阻电容电路包括：

至少一个电容元件，分别与所述电阻元件和所述地线连接，与所述第一电阻电容电路中的电阻元件共同构成所述第二电阻电容电路。

7.根据权利要求5或6所述的电路，其特征在于，所述电容元件为N型场效应NMOS电容，所述NMOS电容的栅极与所述电阻元件连接，所述NMOS电容的漏极和源极与所述地线连接。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一负电流释放电路为第二单向导通元件，分别与所述电源接口和所述地线连接，用于在所述电源接口产生负静电电流时导通。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二负电流释放电路为第三单向导通元件，分别与所述IO接口和所述地线连接，用于在所述IO接口产生负静电电流时导通。

10.一种静电释放防护方法，其特征在于，包括：

在电源接口和/或IO接口产生正静电电流时，通过主结构中的第一正电流释放电路和各从结构中的第二正电流释放电路，将所述正静电电流释放到地线；

在释放正静电电流过程中，通过主结构中的第一电阻电容电路和各从结构中的第二电阻电容电路共同控制正静电电流释放时间；

在电源接口产生负静电电流时，通过各从结构中的第一负电流释放电路，将所述负静电电流释放到地线；

在IO接口产生负静电电流时，通过各从结构中的第二负电流释放电路，将所述负静电电流释放到地线。