[发明专利]一种高压驱动电路

权利要求书

1.一种高压驱动电路,其特征在于,所述电路包括电源偏置模块和驱动电路模块，所述电源偏置模块包括高压PMOS管P1、高压NMOS管N1、稳压管D1、稳压管D2、电阻器R1、电阻器R2、电容器C1及电容器C2，电阻器R1与稳压管D1串联，NMOS管N1的源极连接电容器C1，形成VREG，NMOS管N1的栅极与电阻器R1与稳压管D1连接处相连接，稳压管D2与电阻器R2串联，高压PMOS管P1的源极连接电容器C2，形成VHS，高压PMOS管P1的栅极与稳压管D2与电阻器R2连接处连接,所述驱动电路模块包括高压NMOS管N2、高压NMOS管N3、高压NMOS管N4、高压NMOS管N5、高压PMOS管P2、高压PMOS管P3、高压PMOS管P4、高压PMOS管P5、反相器X1、反相器X2、反相器X3、反相器X4、反相器X5、反相器X6、或非门X7、与非门X8、电阻器R3、电阻器R4以及电阻器R5,反相器X4的输入端连接驱动电路的输入信号，反相器X4的输出端连接高压NMOS管N5的栅极和与非门X8的第二输入端，高压NMOS管N5的漏极连接高压PMOS管P5的漏极，高压PMOS管P5的源极连接电阻器R3的一端和反相器X2的输入端，电阻器R3的另一端连接电源VDD，反相器X2的输出端连接至或非门X7的第一输入端,反相器X1的输出端连接或非门X7的第二输入端,反相器X1的输入端连接高压PMOS管P4的源极和电阻器R4的一端,电阻器R4的另一端连接电源VDD，或非门X7的输出端连接反相器X3的输入端，反相器X3的输出端依次连接高压PMOS管P2和高压PMOS管P3的栅极，高压PMOS管P2和高压PMOS管P3的源极接电源VDD，高压PMOS管P3的漏极连接高压NMOS管N4的漏极，高压NMOS管N4的源极连接电阻器R5的一端和反相器X5的输入端,电阻器R5的另一端接地，反相器X5的输出端连接与非门X8的第一输入端,与非门X8的输出端连接反相器X6的输入端,反相器X6的输出端依次连接高压NMOS管N2和高压NMOS管N3的栅极,高压NMOS管N3的源极与高压NMOS管N2的源极分别接地,高压PMOS管P4的漏极连接高压NMOS管N3的漏极,高压NMOS管N2的漏极连接高压PMOS管P2的漏极和高压驱动电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的高压驱动电路，其特征在于，所述高压NMOS管N2和高压PMOS管P2为功率驱动输出管。

3.根据权利要求1所述的高压驱动电路，其特征在于，所述反相器X1、反相器X2、反相器X3以及或非门X7工作在VDD与VHS之间的电压域。

4.根据权利要求1所述的高压驱动电路，其特征在于，所述反相器X4、反相器X5、反相器X6以及与非门X8工作在VREG与地之间的电压域。

5.根据权利要求3所述的高压驱动电路，其特征在于，信号高电平为VDD电压，信号低电平为VHS电压，VDD电压和VHS电压的相对电压差为5V。

6.根据权利要求4所述的高压驱动电路，其特征在于，信号高电平为VREG电压，信号低电平为地，VREG电压和地的电压差为5V。

7.根据权利要求1所述的高压驱动电路，其特征在于，所述高压PMOS管P1和高压NMOS管N1的开启阈值都为1.5V，稳压管D1和稳压管D2的稳压值为6.5V。