[发明专利]压力测定装置有效

专利信息
申请号: 202110117041.9 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN113203515B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 德田智久 申请(专利权)人: 阿自倍尔株式会社
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;G01L9/06;G01L9/16
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 肖华
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压力 测定 装置
【权利要求书】:

1.一种压力测定装置,其特征在于,

具备压力传感器和压力计算部,

所述压力传感器包括:

膜片层;

受压区域,其形成于所述膜片层;

压电应变测定部,其由压电应变元件构成,所述压电应变元件设置在所述受压区域的外周部的所述膜片层上,利用压电电阻效应测定所述受压区域的应变;以及

磁应变测定部,其由磁应变元件构成,所述磁应变元件设置在所述膜片层的所述受压区域,由磁化因应变而变化的材料构成,并对所述受压区域的应变进行测定,

所述压力计算部包括:

第一计算功能部,其构成为根据所述压电应变测定部的测定结果求出所述受压区域受到的压力值;

第二计算功能部,其构成为根据所述磁应变测定部的测定结果求出所述受压区域受到的压力值;以及

切换功能部,其在所述第一计算功能部求出的压力值没有超过设定的阈值时,输出所述第二计算功能部求出的压力值,在所述第一计算功能部求出的压力值超过所述阈值时,输出所述第一计算功能部求出的压力值。

2.根据权利要求1所述的压力测定装置,其特征在于,

所述压电应变测定部和所述磁应变测定部配置在所述受压区域的、产生的应力成为峰值的位置。

3.根据权利要求1或2所述的压力测定装置,其特征在于,

所述压电应变测定部配置在所述受压区域的产生压电效应的部位。

4.根据权利要求1或2所述的压力测定装置,其特征在于,

所述压电应变测定部由构成第一桥电路的第一压电应变元件、第二压电应变元件、第三压电应变元件以及第四压电应变元件构成,

所述磁应变测定部由构成第二桥电路的第一磁应变元件、第二磁应变元件、第三磁应变元件以及第四磁应变元件构成,

所述磁应变测定部配置在与所述压电应变测定部不同的部位。

5.根据权利要求3所述的压力测定装置,其特征在于,

所述压电应变测定部由构成第一桥电路的第一压电应变元件、第二压电应变元件、第三压电应变元件以及第四压电应变元件构成,

所述磁应变测定部由构成第二桥电路的第一磁应变元件、第二磁应变元件、第三磁应变元件以及第四磁应变元件构成,

所述磁应变测定部配置在与所述压电应变测定部不同的部位。

6.根据权利要求1或2所述的压力测定装置,其特征在于,

所述受压区域俯视呈圆形。

7.根据权利要求3所述的压力测定装置,其特征在于,

所述受压区域俯视呈圆形。

8.根据权利要求4所述的压力测定装置,其特征在于,

所述受压区域俯视呈圆形。

9.根据权利要求1或2所述的压力测定装置,其特征在于,

所述受压区域俯视呈正方形。

10.根据权利要求3所述的压力测定装置,其特征在于,

所述受压区域俯视呈正方形。

11.根据权利要求4所述的压力测定装置,其特征在于,

所述受压区域俯视呈正方形。

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