[发明专利]一种发光器件、显示面板和发光器件的制作方法

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括:衬底基板，位于所述衬底基板一侧的第一电极层和第二电极层，以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光区和调控区，其中，所述调控区位于所述发光区的周边；

所述发光区包括：发光层；对于所述发光区，由所述第一电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量，与由所述第二电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量差绝对值大于预设值，将所述第一电极层、所述第二电极层中单位时间内注入所述发光层载流子数量少的一者作为少子注入电极层，另一者作为多子注入电极层；

所述调控区包括：叠层设置的绝缘层和载流子传输层；所述载流子传输层与所述少子注入电极层接触，所述绝缘层与所述多子注入电极层接触，且所述载流子传输层的侧壁与所述发光层的侧壁接触。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层；由所述第一电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量，大于所述第二电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量，将所述第二电极层作为所述少子注入电极层，将所述第一电极层作为所述多子注入电极层，所述载流子传输层与所述第二电极层接触，所述绝缘层与所述第一电极层接触。

3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层与所述发光层之间还具有电子传输层；

所述绝缘层具有与所述载流子传输层重叠的第一绝缘部，以及由所述第一绝缘部向所述发光区一侧延伸，并覆盖部分所述电子传输层的第二绝缘部。

4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，在由所述调控区指向所述发光区的方向上，所述第二绝缘部的长度为所述电子传输层长度的八分之一至五分之一。

5.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光区在所述发光层与所述第二电极层之间还设置有空穴注入层和空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层的背离所述第二电极层的一侧；

所述载流子传输层的侧壁与所述空穴注入层的侧壁接触，所述载流子传输层的侧壁与所述空穴传输层的侧壁接触。

6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述载流子传输层的空穴传输速率大于所述空穴注入层的空穴传输速率，所述载流子传输层的空穴传输速率大于所述空穴传输层的空穴传输速率，所述载流子传输层的空穴传输速率大于所述发光层的空穴传输速率。

7.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括位于所述衬底基板与所述第一电极层之间的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投影覆盖所述调控区在所述衬底基板的正投影。

8.一种显示面板，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-7任一项所述的发光器件。

9.一种制作如权利要求1-7任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的一侧形成第一电极层；

在发光区形成发光层，以及在调控区形成绝缘层和载流子传输层；

形成第二电极层，对于所述发光区，由所述第一电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量，与由所述第二电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量差绝对值大于预设值，将所述第一电极层、所述第二电极层中单位时间内注入所述发光层载流子数量少的一者作为少子注入电极层，另一者作为多子注入电极层，使所述载流子传输层与所述少子注入电极层接触，所述绝缘层与所述多子注入电极层接触，且使所述载流子传输层的侧壁与所述发光层的侧壁接触。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层；由所述第一电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量，大于所述第二电极层单位时间内注入到所述发光层的载流子数量，将所述第二电极层作为少子注入电极层，将所述第一电极层作为多子注入电极层；所述在发光区形成发光层，以及在调控区形成绝缘层和载流子传输层，包括：

在第一掩膜板的遮挡下，在所述第一电极层的背离所述衬底基板一侧的所述发光区形成电子传输层；

在第二掩膜板的遮挡下，在所述调控区形成绝缘层，所述第二掩膜板的开口区与所述第一掩膜板的开口区存在交叠区域，以使形成的所述绝缘层覆盖部分所述电子传输层；

形成图案化量子点发光层；

在所述第一掩膜板的遮挡下，在所述发光区依次形成空穴传输层和空穴注入层；

在第三掩膜板的遮挡下，在所述调控区形成载流子传输层。