[发明专利]一种基于MXene/MoSe2/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件有效

申请号：	202110067435.8	申请日：	2021-01-19
公开（公告）号：	CN112820826B	公开（公告）日：	2022-08-09
发明（设计）人：	李国华;王宁;周雪;夏超;黄辉;侯蕊;黄志祥	申请（专利权）人：	安徽大学
主分类号：	H01L45/00	分类号：	H01L45/00
代理公司：	安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101	代理人：	卢敏
地址：	230601 安***	国省代码：	安徽;34
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种基于 mxene mose2 pmma 结构非易失性存储器
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种基于MXene/MoSe₂/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件，其特征在于：所述非易失性存储器件是在衬底上逐层设有MXene层、MoSe₂层、PMMA层和MXene层；所述MXene层的厚度为20-50nm、所述MoSe₂层的厚度为4-10nm、所述PMMA层的厚度为50-100nm。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于：所述衬底为柔性衬底或刚性衬底。

3.一种权利要求1～2中任意一项所述非易失性存储器件的制备方法，其特征在于：

首先通过CVD法在具有氧化硅层的硅片上生长MoSe₂薄膜，然后在所述MoSe₂薄膜上旋涂PMMA溶液并烘干，从而在硅片上形成MoSe₂/PMMA复合层，再通过HF刻蚀使MoSe₂/PMMA复合层从硅片上剥离；

将MXene溶液旋涂在衬底上并烘干，形成MXene层；再将MoSe₂/PMMA复合层转移到MXene层上；再在PMMA层上旋涂MXene溶液并烘干，形成另一MXene层；

最后，对器件进行退火，即完成基于MXene/MoSe₂/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件的制备。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述退火是在氩气下200℃退火2小时。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学，未经安徽大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110067435.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。