[发明专利]基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构

权利要求书

1.一种基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，所述结构包括：基板、导电层、第一线圈和第二线圈；所述导电层包括多个导电单元，所述基板为长方体结构，长方体结构的基板内部周期设置有垂直于所述基板两个相对的面的多个所述导电单元，多个所述导电单元的两端突出于所述基板的部分设置为第一微凸点和第二微凸点，同一个所述导电单元的所述第一微凸点和所述第二微凸点之间电连接，设置在所述基板边缘位置的多个所述导电单元的第一微凸点之间电连接形成第一接地部，设置在所述基板边缘位置的多个所述导电单元的第二微凸点之间电连接形成第二接地部，所述基板的非边缘位置设置的多个所述导电单元的第一微凸点和第二微凸点之间相互连接，分别形成所述第一线圈和所述第二线圈，且所述第一线圈和所述第二线圈相互间隔设置。

2.根据权利要求1所述的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，多个所述导电单元外部设置有二氧化硅包裹层。

3.根据权利要求1所述的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，所述基板的材料为：硅、锗、硅锗合金、硅碳合金、硅锗碳合金、砷化镓、砷化铟、磷化铟、III-V族半导体材料、II-IV族半导体材料和有机半导体材料中至少一种。

4.根据权利要求1所述的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，多个所述导电单元在所述基板中设置的周期为4行12列。

5.根据权利要求1所述的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，连接所述第一微凸点与所述第一微凸点之间的导线的材料为铜或铝。

6.根据权利要求5所述的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，连接所述第二微凸点与所述第二微凸点之间的导线的材料为铜或铝。

7.根据权利要求1所述的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，多个所述导电单元的材料为铜或铝。

8.根据权利要求1所述的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，其特征在于，所述第一线圈和所述第二线圈的输入端和输出端均设置有屏蔽层。