[发明专利]一种锂硫电池用修饰隔膜的制备方法

权利要求书

1.一种锂硫电池用修饰隔膜的制备方法，其特征在于：

（1）使用二维片状材料做模板，在有机溶液中与三氨基胍基盐酸盐超声分散20～60分钟获得混合物；

（2）在获得混合物中加入1,3,5-三甲酰基间苯三酚，通过冷冻-抽真空-解冻循环连续处理3次；

（3）连续处理后置于密封的Pyrex瓶中在100～125℃下静置3天，生成固体沉淀物；

（4）依次用N, N-二甲基乙酰胺、水和丙酮洗涤固体沉淀物，真空干燥后得到离子聚合物包覆的二维材料；

（5）将离子聚合物包覆的二维材料与聚偏氟乙烯混合均匀，得到分散液，然后将分散液以抽滤的方法涂覆在隔膜基体上形成隔膜涂层，抽滤完成后烘干，即得到所述的锂硫电池用修饰隔膜；

所述的二维片状材料是指Ti₃C₂、V₂C、Nb₂C、CoB和RuO₂。

2. 如权利要求1所述的一种锂硫电池用修饰隔膜的制备方法，其特征在于所述的有机溶液是指1,4-二氧六环、 N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺中的任意一种。

3.如权利要求1所述的一种锂硫电池用修饰隔膜的制备方法，其特征在于所述的隔膜基体为聚乙烯多孔膜、聚丙烯多孔膜、聚乙烯/聚丙烯复合隔膜或聚酰亚胺隔膜中的任意一种。

4.如权利要求1所述的锂硫电池用修饰隔膜的制备方法，其特征在于三氨基胍基盐酸盐和1,3,5-三甲酰基间苯三酚的总质量与二维片状材料的质量比为(1～6):40。

5. 如权利要求1所述的锂硫电池用修饰隔膜的制备方法，其特征在于上述步骤（5）中离子聚合物包覆的二维材料与聚偏氟乙烯的质量比为(2～9): 1。

6. 如权利要求1所述的锂硫电池用修饰隔膜的制备方法，其特征在于所述隔膜涂层的厚度为4～10 μm，所述涂层的负载量为0.1～0.5 mg/cm²。