[发明专利]一种高增益Ho3+

权利要求书

1.一种高增益Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺共掺石英光纤，其设有芯层、内包层、外包层，其特征在于，所述芯层按照质量百分数由以下原材料制成：

Ho(tmhd)₃： 0.1～0.5%；

Tm(tmhd)₃： 0.5～1.8%；

Yb(tmhd)₃： 1.0～2.7%；

SiCl₄： 40～60%；

GeCl₄： 8～25%；

SiF₄： 5～9%；

POCl₃： 8～12%；

AlCl₃： 3～10%；

BiCl₃： 3～10%；

所述内包层按照质量百分数由以下原材料制成：

Tm(tmhd)₃： 0.5～3.0%；

Yb(tmhd)₃： 1.0～3.0%；

SiCl₄： 45～55%；

GeCl₄： 15～25%；

SiF₄： 5～10%；

POCl₃： 7～11%；

AlCl₃： 5～8%；

BiCl₃： 3～5.5% 。

2.根据权利要求1所述的一种高增益Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺共掺石英光纤，其特征在于，所述芯层按照质量百分数由以下原材料制成：

Ho(tmhd)₃： 0.20～0.40%；

Tm(tmhd)₃：0.80～1.50%；

Yb(tmhd)₃： 1.0～2.50%；

SiCl₄：44～45%；

GeCl₄： 8～25%；

SiF₄： 5～8% ；

POCl₃： 8～10%；

AlCl₃：6%；

BiCl₃：4%；

所述芯层的原材料的质量百分数的总和为100%；

所述内包层按照质量百分数由以下原材料制成：

Tm(tmhd)₃： 1.5～2.5%；

Yb(tmhd)₃： 1.5～2.5%；

SiCl₄： 45.5～46.5%；

GeCl₄：19.0～20.0%；

SiF₄：8.5%；

POCl₃：10.0%；

AlCl₃：6.5%；

BiCl₃： 5.5%

所述内包层的原材料的质量百分数的总和为100%。

3.根据权利要求1或2所述的一种高增益Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺共掺石英光纤，其特征在于，所述外包层按照质量百分数由以下原材料制成：

SiCl₄： 40～50%；

SiF₄： 22～28%；

GeCl₄： 8～12%；

POCl₃： 8～12%；

AlCl₃： 4～8% ；

BiCl₃： 2～6%。