[发明专利]一种硅砂蓄水净水池及其施工工艺在审

专利信息
申请号: 202110054825.1 申请日: 2021-01-15
公开(公告)号: CN112900603A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 贾君;褚峰;张侃;刘霞;张雷;杨林;石菊;沈晓明 申请(专利权)人: 北京金河水务建设集团有限公司
主分类号: E03F5/10 分类号: E03F5/10;E03F5/14;C02F9/02;C02F101/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102200*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 蓄水 净水 及其 施工工艺
【权利要求书】:

1.一种硅砂蓄水净水池,包括池体(1)和对池体(1)内雨水进行调控的中控系统,其特征在于:所述池体(1)包括围限出蓄水净水空间的底板(11)、外墙(12)和顶板(14),所述池体(1)内部利用内墙(13)依次分隔为高效过滤池(2)、净水池(3)和调蓄池(4),所述高效过滤池(2)、净水池(3)和调蓄池(4)连通;所述高效过滤池(2)处与内墙相对的外墙(12)上设置有进水管(15)且在相对的外墙(12)和内墙(13)之间设置有多级过滤栅以及第一排污泵(23);所述净水池(3)内设置有过滤雨水的多个相间布置并紧贴的硅砂进水井室(31)和出水井室(32);所述调蓄池(4)内设置有填充吸附雨水无机重金属离子的吸附材料的吸附槽(41),所述调蓄池(4)处与内墙(13)相对的外墙(12)上设置有出水管(16),雨水经过所述吸附槽(41)内的吸附材料处理后由出水管(16)排出;所述高效过滤池(2)、净水池(3)和调蓄池(4)内均安装有水位传感器,水位传感器与中控系统电连接;所述过滤栅高于溢流水位线(5)。

2.根据权利要求1所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:所述进水井室(31)下方设置有沉砂室(33),所述沉砂室(33)内设置有第二排污泵(36)。

3.根据权利要求1所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:所述高效过滤池(2)处的外墙(12)上高于溢流水位线(5)的位置设置有溢流管(18),所述溢流管(18)上安装有溢流阀,所述溢流阀与中控系统电连接。

4.根据权利要求1所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:所述过滤栅的过滤粒径向靠近内墙(13)的方向逐渐减小,所述第一排污泵(23)的数量(23)与过滤栅的数量相等。

5.根据权利要求1所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:所述高效过滤池(2)内设置有对过滤栅进行清洗的喷洗系统(25),所述喷洗系统(25)位于相对的外墙(12)和内墙(13)上,所述喷洗系统(25)与中控系统电连接。

6.根据权利要求1所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:所述调蓄池(4)处的外墙(12)上设置有排水管(17),所述调蓄池(4)内的底板(11)上安装有排水泵(44),所述排水泵(44)与排水管(17)连通,所述排水泵(44)与中控系统电连接。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的硅砂蓄水净水池的施工工艺,其特征在于,所述施工工艺包括:

S1、施工准备,测量放线,根据设计要求确定好各建筑物的位置;

S2、基坑开挖和支护,开挖时采用分层开挖、分层支护的顺序施工,基坑上部自然放坡并采用土钉墙支护,基坑下部采用钢板桩结构止水兼支护,并做好基坑排水和降水工作;

S3、浇筑底板,底板(11)分段进行浇筑施工,浇筑完成后,在12小时内覆盖塑料薄膜,并进行不少于7天的养护;

S4、混凝土墙体、柱施工,外墙(12)采用抗渗混凝土浇筑,内墙(13)采用非抗渗混凝土浇筑;外墙(12)浇筑完成后在内外两侧均铺设防水土工膜;

S5、硅砂井室施工,井室采用硅砂蜂巢砌块由下到上依次砌筑,并在

井室与墙体之间填充加气砌块(6);

S6、浇筑混凝土梁、顶板,净水池(3)内的顶板(14)模板由井室作为支撑,模板留在池体(1)内不取出;

S7、透气防渗毯施工,顶板(14)强度达到要求后,顶板(14)表面先铺设保护层,之后在保护层上铺设透气防渗毯;

S8、回填土施工,透气防渗毯铺设结束后,立即进行回填土作业,并振动压实,压实度不小于92%;在外墙(12)与基坑坑壁之间回填土,之后拔出钢板桩。

8.根据权利要求7所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:在S3中,底板(11)上预留有透气防渗方格(111),透气防渗方格(111)内由下向上依次铺设中粗砂、透气防渗砂、透水混凝土。

9.根据权利要求7 所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:在S4中,进行墙体混凝土浇筑时,先均匀浇筑与墙体混凝土同配比的不含石子砂浆或1:2水泥砂浆。

10.根据权利要求7所述的硅砂蓄水净水池,其特征在于:在S7中,保护层为40~60mm厚粗砂,粗砂含泥量小于5%。

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