[发明专利]一种调控剂、LTCC微波介质材料及其制备方法

权利要求书

1.一种调控剂，其特征在于：所述调控剂的介电常数小于10且τ_f为正值；同时，所述调控剂的表达式为Li₂Ti_0.9Zr_0.1Si_1-mGe_mO₅，0m1。

2.一种调控剂的制备方法，其特征在于：所述制备方法用于制备权利要求1所述的调控剂，其包括以下步骤：按照化学计量比Li₂Ti_0.9Zr_0.1Si_1-mGe_mO₅称取原料，将称量好的原料倒入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，行星球磨4h～12h后取出、烘干、过筛，将过筛后的粉末在700℃～1000℃下煅烧，并保温1h～5h后，冷却至室温，以得到Li₂TiSi_1-mGe_mO₅粉体，即调控剂。

3.一种LTCC微波介质材料，其特征在于：所述LTCC微波介质材料的组分包括主相、权利要求1所述的调控剂以及B物质；其中，主相与调控剂的物质的量之比为a：(1-a)，所述B物质占主相与调控剂的质量之和的b％，0.2≤a≤0.8，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤b≤5；所述主相的表达式为(Ba_xCa_ySr_zMg_1-x-y-z)₂V₂O₇或RMoO₄，其中R＝Ba，Sr，Ca，Mg。

4.如权利要求3所述的LTCC微波介质材料，其特征在于：所述B物质为纳米级尺寸的Al₂O₃、ZnO、CuO、MnO₂、WO₃中的至少一种。

5.一种权利要求3-4任一项所述的LTCC微波介质材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：提供(Ba_xCa_ySr_zMg_1-x-y-z)₂V₂O₇或RMoO₄粉体、Li₂Ti_0.9Zr_0.1Si_1-mGe_mO₅粉体及B物质，并进行球磨以得到复合瓷粉，进而以该瓷粉为原料制备得到LTCC微波介质材料；其中，(Ba_xCa_ySr_zMg_1-x-y-z)₂V₂O₇或RMoO₄与调控剂Li₂Ti_0.9Zr_0.1Si_1-mGe_mO₅的物质的量之比为a：(1-a)，所述B物质占主相(Ba_xCa_ySr_zMg_1-x-y-z)₂V₂O₇或RMoO₄与调控剂Li₂Ti_0.9Zr_0.1Si_1-mGe_mO₅的质量之和的b％，0.2≤a≤0.8，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤m≤1，0≤b≤5。