[发明专利]一种竖直石墨烯基热界面材料及其制备方法、装置

权利要求书

1.一种竖直石墨烯基热界面材料的制备装置，包括化学气相沉积炉、等离子体源和电场发生组件；所述电场发生组件包括第一电极板、第二电极板和直流电源，所述第一电极板和所述第二电极板均设置于所述化学气相沉积炉的反应腔室内，所述第一电极板与所述直流电源的负极相连，所述第二电极板与所述直流电源的正极相连，所述第一电极板位于所述第二电极板的上方；

所述竖直石墨烯基热界面材料的制备方法，包括在电场的作用下，通过等离子体增强化学气相沉积工艺制得竖直石墨烯；其中，所述电场的方向与所述竖直石墨烯的生长方向相同。

2.根据权利要求1所述的制备装置，包括：

通过电场发生组件向反应体系中施加电场；

在所述反应体系中产生等离子体；以及

向所述反应体系中通入碳源，在基底上进行所述竖直石墨烯的生长。

3.根据权利要求2所述的制备装置，其中，通过等离子体源在所述反应体系中产生等离子体，所述等离子体源的功率为100～500W。

4.根据权利要求2所述的制备装置，其中，所述碳源包括甲烷和/或甲醇；和/或，所述基底为石墨纸。

5.根据权利要求2所述的制备装置，其中，所述电场的方向垂直于所述基底；和/或，所述竖直石墨烯的生长温度为500～800℃。

6.根据权利要求1所述的制备装置，其中，所述电场的电场强度为大于零小于等于250V/cm。

7.根据权利要求1所述的制备装置，其中，所述电场的电场强度为60～250V/cm。