[发明专利]镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法有效
申请号: | 202110047289.2 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN112885683B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 李晓峰;钟梓源;李廷涛;潘治云;张俊;杨振;常乐;赵恒;杨琼连;张彦云 | 申请(专利权)人: | 北方夜视技术股份有限公司 |
主分类号: | H01J29/04 | 分类号: | H01J29/04;H01J9/12;H01J31/50;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10 |
代理公司: | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650217*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀制 sio2 al2o3 材质 介质 光电 阴极 方法 | ||
本发明公开了一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法,用于消除防光晕视觉玻璃中有害成分对锑碱光电阴极结构的破坏而导致的阴极灵敏度衰退的问题。所述锑碱光电阴极包括AVG输入窗、锑碱光电阴极、微通道板、阳极铝膜、荧光屏及阳极输出面板,在AVG输入窗的内表面与锑碱光电阴极之间镀制一层均匀且致密的SiO2或Al2O3材质的介质膜,使得AVG输入窗的内表面、介质膜以及锑碱光电阴极连为一体。本发明的方法包括镀膜前准备、对真空反应腔抽真空、进行靶材除气、向真空反应腔通入氩气、镀制膜层、取出工件等步骤。本发明能够消除AVG中有害成分对锑碱光电阴极破坏的现象,有效提高锑碱光电阴极的稳定性,满足使用要求。
技术领域
本发明涉及一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法,主要用于以防光晕视觉玻璃(AVG)作为光学输入窗的锑碱光电阴极的微光像增强器,消除防光晕视觉玻璃中有害成分对锑碱光电阴极结构的破坏而导致阴极灵敏度的衰退的技术问题。
背景技术
微光夜视装备在现代化战争中发挥着重要的作用,微光夜视装备的核心是微光像增强器,目前采用的主流微光夜视装备是以多碱锑化物材料作为阴极材料的双近贴式微光像增强器。
衡量微光像增强器性能好坏的重要参数是阴极积分灵敏度。多碱锑化物阴极的灵敏度与其采用的基底材料有着密切联系,目前所采用的阴极基底材料是防光晕玻璃(以下简称为 AVG)。防光晕视觉玻璃是由硼硅酸盐组成的可见光波段高通透光学玻璃,通用于高性能光学 /光电器件中。它在锑碱化合物光电阴极的微光像增强器中常作为输入窗。现有的以AVG作为输入窗的微光像增强器(参见图1),主要由AVG输入窗1、锑碱光电阴极2、微通道板3、阳极铝膜4、阳极荧光屏5、阳极输出面板6组成。其中AVG输入窗的作用主要作为锑碱光电阴极的基底,以及光学输入窗口,前置光学系统所收集的光学图像信号通过AVG输入窗1 传递到锑碱光电阴极2上转换成电子图像信号,从而实现光电转换。由于AVG的制作工艺的原因,不可避免地存在杂质,如氧化钙、氧化铅等。这些成分在高温时将向玻璃表面扩散,并在工作过程与锑碱光电阴极发生反应,破坏光电阴极的结构稳定性,从而导致光电阴极灵敏度低、衰退以及均匀性差等问题。因此,对于锑碱光电阴极制备过程而言,希望能够在使用AVG作为光电阴极基底前针对其杂质含量进行筛选,将氧化钙、氧化铅含量较高的AVG进行剔除,以保证最后锑碱光电阴极的稳定性。
然而,目前所有的AVG均不可避免地存在上述有害成分,且检测方式为破坏性检测,在实际生产中难以推行。在实际生产中发现,当AVG中的氧化钙、氧化铅的含量高时,锑碱光电阴极灵敏度低、灵敏度衰退的现象较为严重,这将严重影响微光像增强器的信噪比、品质因数等战术指标,以及微光夜视装备的性能与寿命,直接威胁到用户的战场生存能力。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极,根据AVG 中的有害成分,对以AVG作为输入窗的锑碱光电阴极的微光像增强器,在输入窗的后表面设计一种稳定膜层,代替原有结构,从根本上阻断AVG中有害成分与锑碱光电阴极的接触和反应,有效地提高锑碱光电阴极的稳定性,满足使用要求。
本发明的另一个目的是提供一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极的镀制方法,对以AVG作为光电阴极输入窗的微光像增强器,在AVG输入窗的内表面与锑碱光电阴极之间镀制一层介质膜层,使得AVG输入窗的内表面、介质膜层以及锑碱光电阴极连为一体,
本发明的主要技术方案是:
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