[发明专利]一种高功率半导体激光器

权利要求书

1.一种高功率半导体激光器，其特征在于：包括：第一发光模块、第二发光模块、反射组件、聚焦组件和输出光纤；

所述第一发光模块和所述第二发光模块相对设置；所述反射组件设置在所述第二发光模块的出光方向上，所述聚焦组件设置在所述反射组件和所述第一发光模块的共同出光方向上；所述反射组件的高度低于所述第一发光模块的出光高度；

所述反射组件包括第三反射镜和第四反射镜；所述第三反射镜设置在所述第二发光模块的出光方向上，所述第四反射镜设置在所述第三反射镜的出光方向上；且所述第四反射镜设置在所述第一发光模块与所述聚焦组件之间，所述第四反射镜上边缘所在位置低于所述第一发光模块的出光高度而不遮挡所述第一发光模块的出光；

所述第一发光模块发出的第一激光束越过所述第四反射镜正上方射入所述聚焦组件；所述第二发光模块发射的第二激光束经所述第三反射镜和所述第四反射镜连续反射后进入所述聚焦组件；所述聚焦组件将所述第一激光束和所述第二激光束聚焦后耦合进入所述输出光纤。

2.如权利要求1所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述第一发光模块包括多个呈阶梯状排列的第一发光单元；每个所述第一发光单元均包括第一激光芯片及对应的第一快轴准直镜、第一慢轴准直镜和第一反射镜；所述第一快轴准直镜设置在所述第一激光芯片的出光方向上，所述第一慢轴准直镜设置在所述第一快轴准直镜的出光方向上，所述第一反射镜设置在所述第一慢轴准直镜的出光方向上；多个所述第一发光单元发出的激光组成所述第一激光束射入所述聚焦组件。

3.如权利要求2所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述聚焦组件包括滤波片、快轴聚焦透镜和慢轴聚焦透镜；所述滤波片的上边缘高于所述第一发光模块中最高阶梯所对应的第一发光单元中的第一激光芯片的出光高度；所述滤波片设置在所述第一发光模块和所述第四反射镜的共同出光方向上，所述快轴聚焦透镜设置在所述滤波片的出光方向上，所述慢轴聚焦透镜设置在所述快轴聚焦透镜的出光方向上。

4.如权利要求2所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述第二发光模块包括多个呈阶梯状排列的第二发光单元；每个所述第二发光单元均包括第二激光芯片及对应的第二快轴准直镜、第二慢轴准直镜和第二反射镜；所述第二快轴准直镜设置在所述第二激光芯片的出光方向上，所述第二慢轴准直镜设置在所述第二快轴准直镜的出光方向上，所述第二反射镜设置在所述第二慢轴准直镜的出光方向上；多个所述第二激光芯片发出的激光组成所述第二激光束射入所述第三反射镜。

5.如权利要求4所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述第三反射镜和所述第四反射镜的高度相同，且所述第四反射镜的上边缘所在位置低于所述第一发光模块中最低阶梯所对应的第一发光单元中的第一激光芯片的出光高度。

6.如权利要求3所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述第一激光束和所述第二激光束的波长相同，均为预设的第一波长；所述滤波片透射所述第一波长激光，并反射其他波长激光，以防止其他波长的杂光返回至所述第一发光模块和所述第二发光模块而影响激光器的性能；所述第一激光束越过所述反射组件的上方射入所述快轴聚焦透镜的上部；所述第二激光束经所述反射组件进入所述快轴聚焦透镜的中部和下部；所述快轴聚焦透镜将所述第一激光束和所述第二激光束在快轴方向上聚焦后输出至所述慢轴聚焦透镜，所述慢轴聚焦透镜将所述第一激光束和所述第二激光束在慢轴方向上聚焦后耦合输出至所述输出光纤。

7.如权利要求5所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器还包括壳体；所述第一发光模块、所述第二发光模块、所述反射组件、所述聚焦组件和所述输出光纤均封装在所述壳体内部，所述第一发光模块和所述第二发光模块相对设置在所述壳体内部的两侧。

8.如权利要求7所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述壳体内部两侧均设置有放置板；且两侧的放置板上均设置有至少一个台阶面；一侧的放置板的每一台阶面用于放置所述第一发光模块的一个第一发光单元；另一侧的放置板的每一台阶面用于放置所述第二发光模块的一个第二发光单元。