[发明专利]电荷泵电路、非易失性存储器在审
申请号: | 202110031981.6 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN114765415A | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 张现聚;刘铭;邓龙利 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;G11C5/14 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 100083 北京市海淀区学院*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 电路 非易失性存储器 | ||
1.一种电荷泵电路,其特征在于,包括串联的多个升压级电荷泵单元,所述升压级电荷泵单元包括:
输入端和输出端(Nt);
第一电容(Cc);
第二电容(Ct),所述第二电容(Ct)的第一端连接输出端(Nt);
第一开关管(Pt),所述第一开关管(Pt)的控制端连接所述第一电容(Cc)的第一端,第一通路端连接所述输入端,第二通路端连接所述输出端(Nt);
第一单向导通元件(Pa),设置在所述第一开关管(Pt)的控制端和所述输出端(Nt)之间;
第三电容(Cp);以及
第三开关管(Pb),所述第三开关管(Pb)的控制端连接所述输入端,第一通路端连接所述第一电容(Cc)的第一端,第二通路端连接所述第三电容(Cp)的第一端;
在电荷存储阶段,所述第一开关管(Pt)导通,所述第三开关管(Pb)断开,所述第二电容(Ct)被充电;在电荷释放阶段,所述第一开关管(Pt)断开,所述第二电容(Ct)向下一级电荷泵提供电荷,所述第一开关管(Pt)控制端的电荷经由所述第三开关管(Pb)向所述第三电容(Cp)转移。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第三电容(Cp)的第二端接收低电平。
3.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述升压级电荷泵单元还包括第二单向导通元件(Pc),在所述电荷存储阶段,所述第三电容(Cp)的电荷经由所述第二单向导通元件(Pc)向所述输出端(Nt)转移。
4.根据权利要求3所述的电荷泵电路,其特征在于,在奇数级的升压级电荷泵单元,所述第一电容(Cc)的第二端和所述第二电容(Ct)的第二端接收第一时钟信号(CLK),所述第三电容(Cp)的第二端接收具有与所述第一时钟信号相反相位的第二时钟信号(CLKB),
在偶数级的升压级电荷泵单元,所述第一电容(Cc)的第二端和所述第二电容(Ct)的第二端接收所述第二时钟信号(CLKB),所述第三电容(Cp)的第二端接收所述第一时钟信号(CLK)。
5.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,还包括:
第五开关管(P0),其控制端接收使能信号,其第一通路端接收供电电压,其第二通路端连接所述第一升压级电荷泵单元的输入端。
6.根据权利要求2所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一开关管(Pt)和所述第三开关管(Pb)为P型MOS管。
7.根据权利要求6所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一单向导通元件(Pa)和所述第二单向导通元件(Pc)为二极管连接设置的P型MOS管,第一单向导通元件(Pa)的控制端和漏端连接所述第一开关管(Pt)的控制端,第二单向导通元件(Pc)的控制端和漏端连接所述输出端(Nt)。
8.根据权利要求6所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一单向导通元件(Pa)和所述第二单向导通元件(Pc)为二极管。
9.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,还包括输出级电荷泵单元,所述输出级电荷泵单元包括:
输入端,连接最后一级升压级电荷泵单元的输出端;
输出端;
第一电容(Cc),所述第一电容(Cc)的第二端接收所述第一时钟信号;
第一开关管(Pt),所述第一开关管(Pt)的控制端连接所述第一电容(Cc)的第一端,第一通路端连接所述输入端,第二通路端连接所述输出端;
第一单向导通元件(Pa),设置在所述第一开关管(Pt)的控制端和所述输出端之间;
第三电容(Cp);
第三开关管(Pb),所述第三开关管(Pb)的控制端连接所述输入端,第一通路端连接所述第一电容(Cc)的第一端,第二通路端连接所述第三电容(Cp)的第一端;以及
第二单向导通元件(Pc),设置在所述第三电容(Cp)的第一端和所述输出端之间。
10.一种非易失性存储器,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的电荷泵电路。
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