[发明专利]包含阶梯结构的微电子装置、以及相关电子装置及方法

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

堆叠结构，其包括布置成层级的交替的导电结构及绝缘结构，所述层级的每一者个别地包括所述导电结构的一者及所述绝缘结构的一者；

阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层级的边缘的梯级；及

掺杂电介质材料，其邻近所述阶梯结构的所述梯级且包括掺杂有硼、磷、碳及氟的一或多者的二氧化硅，所述掺杂电介质材料具有比硼磷硅玻璃相比更大的Si-O-Si键与水的比率。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述掺杂电介质材料掺杂有硼及磷。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一或多种掺杂剂由所述掺杂电介质材料的约1.0重量百分比到约8.0重量百分比构成。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括所述掺杂电介质材料与所述梯级之间的额外电介质材料。

5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述额外电介质材料包括未掺杂二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述掺杂电介质材料包括比硼磷硅玻璃更大的碳含量。

7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述阶梯结构包括一或多个台阶结构，每一台阶结构包括相对阶梯结构。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述一或多种掺杂剂的浓度在接近所述掺杂电介质材料的中心部分处大于在所述电介质材料的其它部分处。

9.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述一或多种掺杂剂均匀地分布遍及所述掺杂电介质材料。

10.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述掺杂电介质材料定位于第一未掺杂电介质材料与第二未掺杂电介质材料之间。

11.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述掺杂材料具有在从约2.10g/cm³到约2.16g/cm³的范围内的密度。

12.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括延伸穿过所述掺杂电介质材料且与所述层级的所述导电结构电连通的导电接触结构。

13.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括所述掺杂电介质材料与所述梯级之间的未掺杂电介质材料。

14.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述掺杂电介质材料包括碳。

15.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：

在包括交替的第一材料及第二材料的堆叠结构中形成阶梯结构；

通过等离子体增强型物理气相沉积使用原硅酸四乙酯及氧源邻近所述阶梯结构形成包括掺杂有硼、磷、氟及碳中的一或多者的二氧化硅的掺杂电介质材料；及

使所述掺杂电介质材料平坦化。

16.根据权利要求15所述的方法，其中通过等离子体增强型物理气相沉积使用原硅酸四乙酯及氧源形成掺杂电介质材料包括形成包含包括三乙基硼烷、硼酸三乙酯、硼酸三甲酯、氰基硼烷、乙硼烷及十硼烷的一或多者的硼前驱体的所述掺杂电介质材料。

17.根据权利要求15所述的方法，其中通过等离子体增强型物理气相沉积使用原硅酸四乙酯及氧源形成掺杂电介质材料包括形成包含包括磷酸三乙酯、磷酸三甲酯、膦及亚磷酸三甲酯的一或多者的磷前驱体的所述掺杂电介质材料。