[发明专利]太阳电池结构及基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法在审
申请号: | 202110012951.0 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN112768559A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 李东栋;林引岳;鲁林峰;王继磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海高等研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L51/48;H01L51/44 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 结构 基于 丝网 印刷 制备 方法 | ||
1.一种基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供电池片;
进行第一表面处理,以在所述电池片的表面形成偶联媒介;
进行第二表面处理,通过所述偶联媒介,在所述电池片的表面形成偶联涂层;
采用丝网印刷,印刷金属浆料,并进行烧结,以形成电池栅线。
2.根据权利要求1所述的基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于:所述第一表面处理包括氧等离子体表面处理或二氧化碳等离子体表面处理,且所述偶联媒介包括羟基或羧基。
3.根据权利要求1所述的基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于:所述第二表面处理包括气相沉积或液相浸泡,且所述偶联媒介与有机硅烷进行偶联。
4.根据权利要求3所述的基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于:所述有机硅烷包括氯硅烷(RaSiCl)、氟硅烷((CF3)aSi(OR)b)、聚硅氧烷(R[OSi(R)2]nCH3)、脱醇型硅氧烷(RaSi(OR)b)中的一种。
5.根据权利要求1所述的基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于:所述电池片与金属浆料的接触角的范围包括80°~150°。
6.根据权利要求1所述的基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于:在形成所述电池栅线之后,还包括第三表面处理的步骤,以去除显露的所述偶联涂层,其中,所述第三表面处理包括氧等离子体表面处理或二氧化碳等离子体表面处理。
7.根据权利要求1所述的基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于:进行所述第二表面处理后,所述偶联涂层完全覆盖所述电池片或部分覆盖所述电池片。
8.根据权利要求7所述的基于丝网印刷制备太阳电池栅线的方法,其特征在于:当所述偶联涂层部分覆盖所述电池片时,在进行所述第一表面处理之后及第二表面处理之前,包括形成图形化的掩膜的步骤,且在去除所述掩膜之后,形成的所述电池栅线与显露的所述偶联媒介相接触。
9.一种太阳电池结构,其特征在于,所述太阳电池结构包括:电池片及位于所述电池片上的电池栅线,且所述电池片与所述电池栅线之间具有偶联涂层或偶联媒介。
10.根据权利要求9所述的太阳电池结构,其特征在于:所述偶联媒介包括羟基或羧基;所述偶联涂层为所述偶联媒介与有机硅烷进行偶联所获得的产物;所述有机硅烷包括氯硅烷(RaSiCl)、氟硅烷((CF3)aSi(OR)b)、聚硅氧烷(R[OSi(R)2]nCH3)、脱醇型硅氧烷(RaSi(OR)b)中的一种。
11.根据权利要求9所述的太阳电池结构,其特征在于:所述电池栅线的宽度范围小于等于70μm。
12.根据权利要求9所述的太阳电池结构,其特征在于:所述电池片包括硅基太阳电池片、有机太阳电池片、化合物太阳电池片、钙钛矿太阳电池片、以及基于上述材料体系的叠层太阳电池片中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的