[发明专利]有机发光装置

权利要求书

1.有机发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

m个在所述第一电极与所述第二电极之间的发射单元，所述m个发射单元各自包括至少一个发射层；以及

m-1个在所述m个发射单元中的两个相邻的发射单元之间的电荷产生层，所述m-1个电荷产生层中的每一个包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层，

其中m是2或大于2的整数，

m-1个n-型电荷产生层和m-1个p-型电荷产生层中的至少一个包含选自后过渡金属、准金属、包括两种或多于两种的后过渡金属的化合物、包括两种或多于两种的准金属的化合物、包括后过渡金属和准金属的化合物及其组合中的第一无机材料，

所述后过渡金属包括选自Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Fl、Bi和Po中的至少一种，

所述准金属包括选自B、Si、Ge、As、Sb、Te和At中的至少一种，以及

当所述后过渡金属包括选自Al、In和Pb中的至少一种时，所述第一无机材料是所述包括后过渡金属和准金属的化合物。

2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述m-1个p-型电荷产生层中的至少一个包含所述第一无机材料。

3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一无机材料是选自包括两种或多于两种的准金属的化合物以及包括后过渡金属和准金属的化合物中的至少一种。

4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，当所述第一无机材料是包括后过渡金属和准金属的化合物时，所述后过渡金属和所述准金属的组成比是50:1至1:50。

5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一无机材料的功函的绝对值是3.0eV或大于3.0eV。

6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述后过渡金属是选自Al、Ga、In、Tl、Sn、Pb、Fl和Bi中的至少一种。

7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述准金属是选自Si、Ge、As、Sb和Te中的至少一种。

8.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一无机材料是选自Bi₂Te₃、Bi₇Te₃、Bi₂Te、Bi₄Te₃、BiTe、Bi₆Te₇、Bi₄Te₅、Bi_xTe_y、Sb₂Te₃、In₂Te₃、Ga₂Te₂、Al₂Te₃、Tl₂Te₃、As₂Te₃、GeSbTe、SnTe、PbTe、SiTe、GeTe、FlTe、SiGe、AlInSb、AlGaSb、AlAsSb、GaAs、InSb、AlSb、AlAs、Al_aIn_aSb、Al_bIn_(1-b)Sb、AlSb、GaSb和AlInGaAs中的至少一种，其中0x100，0y100，0x+y≤100，0a1，以及0b1。

9.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一无机材料的热蒸发温度是1,000℃或小于1,000℃。