[发明专利]波导型受光元件在审

专利信息
申请号: 202080102592.1 申请日: 2020-10-09
公开(公告)号: CN116157925A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 竹村亮太 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张青
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 波导 型受光 元件
【权利要求书】:

1.一种波导型受光元件,其特征在于,具备:

半导体基板;

脊形构造,其设置在所述半导体基板上,至少包括光吸收层;

半导体埋入层,其将所述光吸收层的侧面埋入,并具有比所述光吸收层低的折射率;以及

半导体层,其设置在所述光吸收层的侧面与所述半导体埋入层之间,并具有所述光吸收层与所述半导体埋入层之间的折射率,

将所述半导体层的折射率设为n3,将入射光的波长设为λ,所述半导体层的横向的厚度为λ/(4×n3)的-30%到+20%的范围内。

2.根据权利要求1所述的波导型受光元件,其特征在于,

所述光吸收层的折射率的虚部不是零,

将所述半导体层的折射率设为n3,将入射光的波长设为λ,所述半导体层的横向的厚度被设定为比λ/(4×n3)短且所述入射光的反射率成为极小的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的波导型受光元件,其特征在于,

所述半导体层的折射率被设定为所述入射光的反射率成为极小值的值。

4.根据权利要求3所述的波导型受光元件,其特征在于,

将所述半导体埋入层的折射率设为n1,将所述光吸收层的折射率设为n2,所述半导体层的折射率为(n1×n2)^0.5。

5.根据权利要求1~3中的任一项所述的波导型受光元件,其特征在于,

所述半导体埋入层也设置在所述光吸收层的侧面与所述半导体层之间,

将所述半导体埋入层的折射率设为n1,所述光吸收层的侧面与所述半导体层的横向的间隔为λ/(2×n1)。

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