[发明专利]波导型受光元件在审
申请号: | 202080102592.1 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN116157925A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 竹村亮太 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 型受光 元件 | ||
1.一种波导型受光元件,其特征在于,具备:
半导体基板;
脊形构造,其设置在所述半导体基板上,至少包括光吸收层;
半导体埋入层,其将所述光吸收层的侧面埋入,并具有比所述光吸收层低的折射率;以及
半导体层,其设置在所述光吸收层的侧面与所述半导体埋入层之间,并具有所述光吸收层与所述半导体埋入层之间的折射率,
将所述半导体层的折射率设为n3,将入射光的波长设为λ,所述半导体层的横向的厚度为λ/(4×n3)的-30%到+20%的范围内。
2.根据权利要求1所述的波导型受光元件,其特征在于,
所述光吸收层的折射率的虚部不是零,
将所述半导体层的折射率设为n3,将入射光的波长设为λ,所述半导体层的横向的厚度被设定为比λ/(4×n3)短且所述入射光的反射率成为极小的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的波导型受光元件,其特征在于,
所述半导体层的折射率被设定为所述入射光的反射率成为极小值的值。
4.根据权利要求3所述的波导型受光元件,其特征在于,
将所述半导体埋入层的折射率设为n1,将所述光吸收层的折射率设为n2,所述半导体层的折射率为(n1×n2)^0.5。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的波导型受光元件,其特征在于,
所述半导体埋入层也设置在所述光吸收层的侧面与所述半导体层之间,
将所述半导体埋入层的折射率设为n1,所述光吸收层的侧面与所述半导体层的横向的间隔为λ/(2×n1)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的