[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202080097796.0 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN115210896A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 浅冈康;青森繁 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 董煜晗 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
显示装置(2)具有子像素(SPr、SPg、SPb),电子传输层(ETg)在俯视时与子像素(SPg)的像素电极(PEg)的整体重叠,电子传输层(ETr)在俯视时与子像素(SPr)的像素电极(PEr)的整体重叠,具有在俯视时与子像素(SPg)的像素电极(PEg)的周端部(EDg)的内侧重叠的开口(Org)。
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
已知空穴传输层、电子传输层等功能层形成为在全部子像素中公共的显示装置(专利文献1)。另一方面,根据子像素的种类,有时为了提高从阳极注入空穴和从阴极注入电子的发光层中的复合的效率,意图按照每个子像素形成不同的功能层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2011/148791号公报(2011年12月1日公开)
发明内容
发明要解决的问题
然而,在按每个子像素形成不同的功能层的情况下,功能层的边缘部有可能产生缺损或剥离,从而成为问题。
用于解决问题的方案
本发明的一方面涉及的显示装置,具备:像素电极,对每个子像素形成;公共电极;发光层,其形成于所述像素电极与所述公共电极之间;以及第一功能层和第二功能层,其形成于所述发光层和所述像素电极之间或者所述发光层和所述公共电极之间,跨多个所述子像素连续形成,所述子像素具有发出第一颜色的光的第一子像素和发出波长比所述第一颜色长的第二颜色的光第二子像素,所述第二功能层在俯视时与所述第二子像素的所述像素电极整体重叠,所述第一功能层在俯视时与所述第一子像素的所述像素电极整体重叠,具有在俯视时与所述第二子像素的所述像素电极的周端部的内侧重叠的开口。
发明效果
根据本发明的一方面,能够防止功能层的边缘部有可能产生缺损或剥离。
附图说明
图1是示出显示装置的制造方法的一例的流程图。
图2是示出上述显示装置的截面构成的示意图。
图3是示出第一实施方式的显示装置所设置的子像素的平面图。
图4是沿着图3所示面AB的截面图。
图5是示出上述子像素的排列的平面图。
图6是示出设置在上述显示装置的用于红色发光层的电子传输层的图案的平面图。
图7是示出设置在上述显示装置的用于绿色发光层的电子传输层的图案的平面图。
图8是示出设置在上述显示装置的用于蓝色发光层的电子传输层的图案的平面图。
图9是用于说明上述电子传输层的图案化方法的截面图。
图10是用于说明上述电子传输层的图案化方法的截面图。
图11是示出上述发光层的Cd系量子点的能级的例子的图。
图12是示出上述发光层的非Cd系量子点的能级的例子的图。
图13是示出设置在上述显示装置上的QLED元件的能级的例子的图。
图14是示出设置在上述显示装置上的ZnO纳米粒子的带隙的曲线图。
图15是示出第二实施方式的显示装置所设置的子像素的排列的平面图。
图16是沿着图15所示面AB的截面图。
图17是示出设置在上述显示装置的用于红色发光层的电子传输层的图案的平面图。
图18是示出设置在上述显示装置的用于绿色发光层的电子传输层的图案的平面图。
图19是示出设置在上述显示装置的用于蓝色发光层的电子传输层的图案的平面图。
图20是示出上述发光层的能级的例子的图。
图21是示出上述发光层的变形例的能级的例子的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择