[发明专利]晶片夹具硬突节生产和翻新

说明书

提供用于制造具有硬突节的晶片夹具的系统、设备和方法。该方法可以包括：提供第一层，第一层包括第一表面。方法还可以包括在第一层的第一表面上方形成多个突节。形成多个突节可以包括将多个突节的子集形成为具有大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月26日提交的美国临时专利申请号62/953，730的优先权，其通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及衬底台以及用于在衬底台表面上形成突节和纳米结构的方法

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在正在被形成的IC的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标位置来辐照每个目标位置，以及所谓的扫描器，其中通过在使辐射束以给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时同步地扫描与该扫描方向平行或反平行的目标位置来辐照每个目标位置。还可以通过将图案印制到衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。

极紫外(EUV)光，例如波长为大约50纳米(nm)或更小(有时也称为软x射线)并且包括波长为大约13nm的光的电磁辐射，可以用于光刻设备或与光刻设备一起使用来在衬底(例如，硅晶片)中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不必须限于，将具有发射线在EUV范围内的元素(例如，氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换为等离子体状态。例如，在一个这种方法(被称为激光产生等离子体(LPP))中，可以通过用放大光束(其可被称为驱动激光器)辐照例如以材料的液滴、板、带、流或簇形式的目标材料(其在LPP源的背景下可互换地称为燃料)来产生等离子体。对于这个过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监控。

另一光刻系统是没有图案形成装置的干涉式光刻系统。相反，干涉式光刻系统将光束分成两个束，并且通过使用反射系统使两个束在衬底的目标部分处发生干涉。所述干涉使得线被形成在衬底的目标部分处。

在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要将不同的层顺序地形成在衬底上。因此，可能需要相对于形成在衬底上的先前图案以高精确度来定位衬底。通常，对准标记被放置在衬底上，以相对于第二物体进行对准和定位。光刻设备可以使用对准设备来检测对准标记的位置，并且使用对准标记来对准衬底以确保掩模的准确曝光。将两个不同层处的对准标记之间的未对准测量为重叠误差。

为了监控光刻过程，对图案化衬底的参数进行测量。例如，参数可以包括在图案化衬底中或上形成的连续层之间的重叠误差，以及所显影的光致抗蚀剂的临界线宽。可以对产品衬底、专用量测目标或两者执行这种测量。存在用于对在光刻过程中形成的微观结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。快速且非侵入性形式的专用检查工具是将辐射束引导到衬底的表面上的目标并且测量散射束或反射束的性质的散射仪。通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的性质，可以确定衬底的性质。例如，这可以通过将反射束与存储在与已知衬底性质相关联的已知测量的库中的数据进行比较来完成。光谱散射仪将宽带辐射束引导到衬底上，并且测量散射到特定窄角度范围内的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。相比之下，角度分辨散射仪使用单色辐射束，并且测量作为角度的函数的散射辐射强度。

这种光学散射仪可以用于测量参数，诸如所显影的光致抗蚀剂的临界尺寸或者形成于图案化衬底中或图案化衬底上的两个层之间的重叠误差。可以通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的照射束的性质来确定衬底的性质。