[发明专利]晶片夹具硬突节生产和翻新在审
申请号: | 202080088928.3 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN114846409A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 马太·利普森;M·A·阿克巴斯;塔莫·维特迪克;赵飞 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/687 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 夹具 硬突节 生产 翻新 | ||
1.一种制造设备的方法,所述方法包括:
提供第一层,所述第一层包括第一表面;和
在所述第一层的所述第一表面上方形成多个突节,其中形成所述多个突节包括:将所述多个突节的子集形成为具有大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,提供所述第一层包括:提供玻璃衬底。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个突节包括:形成类金刚石碳(DLC)的多个突节。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,形成所述多个突节包括:将所述多个突节形成为厚度大于大约2.0微米。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,形成所述多个突节包括将所述多个突节形成为厚度大于大约5.0微米。
6.根据权利要求3所述的方法,其中,形成所述多个突节包括将所述多个突节形成为厚度大于大约10.0微米。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个突节包括:形成选自由氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组的材料的多个突节。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个突节包括形成至少大约三万个突节。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个突节的子集包括:将所述多个突节的子集形成为具有大于大约10.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个突节的子集包括:将所述多个突节的子集形成为具有大于大约15.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个突节的子集包括:将所述多个突节的子集形成为具有大于大约20.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个突节包括:
形成第二层,所述第二层包括:第二表面,和与所述第二表面相对的第三表面,其中,所述第二层的所述第三表面设置在所述第一层的所述第一表面上;和
形成第三层,所述第三层包括:第四表面,和与所述第四表面相对的第五表面,其中,所述第三层的所述第五表面设置在所述第二层的所述第二表面上,
其中,形成所述多个突节包括:图案化所述第三层以形成所述多个突节。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,形成所述第二层包括:形成粘附层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,形成所述粘附层包括:形成选自由铬(Cr)或铝(Al)组成的组中的至少一种材料的粘附层。
15.根据权利要求12所述的方法,其中,形成所述第三层包括:形成类金刚石碳(DLC)的第三层。
16.一种制造设备的方法,所述方法包括:
接收晶片夹具,其中所述晶片夹具包括:
第一层,所述第一层包括第一表面,以及
多个第一突节,所述多个第一突节设置在所述第一层的第一表面上方;
移除所述多个第一突节;以及
在所述第一层的所述第一表面上方形成多个第二突节,其中,形成所述多个第二突节包括:将所述多个第二突节的子集形成为具有大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,形成所述多个第二突节包括:形成选自由类金刚石碳(DLC)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组中的至少一种材料的多个第二突节。
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