[发明专利]Ag合金膜及Ag合金溅射靶

说明书

该Ag合金膜由包含In及Ge的Ag合金构成，在表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部。所述Ag合金优选含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In和0.1质量％以上且7.5质量％以下的Ge，并且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

技术领域

本发明涉及一种包含In及Ge的Ag合金膜及进行该Ag合金膜的成膜时使用的Ag合金溅射靶。

本申请主张基于2019年12月2日于日本申请的专利申请2019-218163号及2020年5月29日于日本申请的专利申请2020-094213号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

通常，由于Ag膜或Ag合金膜的光学特性及电特性优异，因此被用作各种部件的反射膜及导电膜，比如显示器或LED等的反射电极膜、触摸面板等的配线膜等。

作为Ag合金膜，已知通过添加特定的元素而形成氧化物等，例如能够改善用作反射电极膜时的反射率、导电率等。

在专利文献1中，记载有使用AgSbMg或AgSbZn作为Ag合金并使Sb形成氧化物的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为具有优异的低电阻性、耐热性及耐氯化性。

在专利文献2中，记载有使用AgIn作为Ag合金并使In形成氧化物的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为能够提高反射率

在专利文献3中，记载有使用AgSbAl或AgSbMn作为Ag合金的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为具有优异的低电阻性、耐热性及耐氯化性。

在专利文献4中，记载有使用AgSb作为Ag合金并使Sb形成氧化物的Ag合金膜。这种Ag合金膜被认为具有优异的耐湿性、耐硫化性及耐热性，并且反射率高且电阻低。

上述各种Ag合金膜通过由Ag合金构成的溅射靶形成。

专利文献1：日本特开2014-74225号公报

专利文献2：日本特开2014-19932号公报

专利文献3：日本特开2014-05503号公报

专利文献4：日本特开2013-209724号公报

然而，上述专利文献1-4中所记载的Ag合金膜的耐热性的改善不充分，期望耐热性更进一步优异的Ag合金膜。

发明内容

该发明是鉴于上述的情况而完成的，目的在于提供一种耐热性优异的Ag合金膜及用于进行该Ag合金膜的成膜的Ag合金溅射靶。

为了解决上述课题，本发明人进行深入研究的结果，得到以下见解：通过在包含Ge和In的Ag合金的表面侧形成浓集有In及Ge的InGe浓集部，能够提高Ag合金膜的耐热性。

本发明是基于上述的见解而完成的，本发明的一方式所涉及的Ag合金膜的特征在于，由包含In及Ge的Ag合金构成，并且在所述Ag合金膜的表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部。

根据上述方式的Ag合金膜，通过在表面侧形成浓集有In及Ge的InGe浓集部，能够实现耐热性优异的Ag合金膜。

在本发明的一方式所涉及的Ag合金膜中，Ag合金含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In和0.1质量％以上且7.5质量％以下的Ge，并且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。这种组成的Ag合金膜的耐热性尤其优异，例如尤其适合用作反射导电膜。

在本发明的一方式所涉及的Ag合金膜中，所述InGe浓集部也可以包含In及Ge的氧化物。

通过包含In及Ge的氧化物，能够进一步提高反射率。