[发明专利]利用用于高性能EUV光致抗蚀剂的高EUV吸收剂的衬底表面改性

权利要求书

1.一种制造图案化结构的方法，所述方法包括：

提供衬底以接收图案；

将辐射吸收层结合至所述衬底的表面上；以及

提供成像层，其中所述辐射吸收层位于所述成像层底下，以增强所述成像层的辐射吸收率和/或图案化性能。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述成像层包括辐射敏感成像层、极紫外光(EUV)敏感膜、光致抗蚀剂膜、硬掩模、或原子层沉积(ALD)硬掩模。

3.根据权利要求1-2所述的方法，其中所述辐射吸收层包括碘(I)、铟(In)、锡(Sn)、铋(Bi)、锑(Sb)、碲(Te)、其氧化物、其合金、或其组合。

4.根据权利要求1-2所述的方法，其中所述辐射吸收层包含第一元素，所述第一元素具有高图案化辐射吸收截面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述成像层包含第二元素，所述第二元素具有高图案化辐射吸收截面以及暴露于图案化辐射下是可裂解的部分。

6.根据权利要求1-2所述的方法，其在所述提供所述成像层之前还包括：

将卤素、烷基或卤代烷基部分结合至所述辐射吸收层的表面。

7.根据权利要求1-2所述的方法，其中所述结合包括：

通过一或更多种前体的溅射、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、基于等离子体的沉积、热诱导分解、或等离子体诱导分解来沉积所述辐射吸收层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述结合包括：

提供包含碲(Te)的第一前体以及包含金属氧化物的第二前体至所述衬底的所述表面，其中所述第一和第二前体各自以气相提供至所述衬底，从而在所述衬底上沉积所述辐射吸收层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一前体包含TeR₂或TeR₄，其中每一R独立为卤素、任选地取代的C_1-12烷基、任选地取代的C_1-12烷氧基、任选地取代的芳基、羟基、氧代基或任选地取代的三烷基甲硅烷基；且其中所述第二前体包括氧化锡、氧化锑或氧化铋。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述结合包括：

在等离子体或热存在下，将所述衬底的所述表面暴露于包含具有高EUV吸收截面的元素的蒸气，从而在所述衬底上沉积所述辐射吸收层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述蒸气包括碘(I)、碘气(I₂)、二碘甲烷(CH₂I₂)、锡(Sn)、碲(Te)、或双(烷基)碲(TeR₂)。

12.根据权利要求1-2所述的方法，其中所述辐射吸收层的表面还包括具有不稳定部分的光响应表面，所述不稳定部分暴露于所述图案化辐射下是可裂解的。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述结合包括：

在所述衬底的所述表面上沉积所述辐射吸收层；以及

利用包含有所述不稳定部分的封端剂来将所述辐射吸收层封端。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述辐射吸收层包括氧化锡、锡、锡合金、氧化铋或碲；且其中所述封端剂包括经烷基取代的含金属前体。