[发明专利]低异构体氢化硅烷化在审

专利信息
申请号: 202080081100.5 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN114729126A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: T·森德兰;R·鲍姆加特纳;T·D·贝克迈耶;刘南国;E·若弗尔;J·凯南;L·彼得罗夫;B·迪思;M·S·费理图;A·施密特 申请(专利权)人: 美国陶氏有机硅公司;陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: C08G77/12 分类号: C08G77/12
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 徐舒
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 低异构体 氢化 硅烷
【权利要求书】:

1.一种反应组合物,其包含:

(a)烯丙基聚醚,所述烯丙基聚醚具有下式:

CH2=CHCH2O-Aa-B

其中:

(i)下标a为每个分子中连续A单元的平均数并且为在2至170的范围内的值;

(ii)A在每次出现时独立地选自由以下组成的组:-CH2CH2O-;-CH2CH(CH3)O-;-CH(CH3)CH2O-、CH2CH(CH2CH3)O-;-CH(CH2CH3)CH2O-、-CH2CF(CF3)O-、-CF(CF3)CF2O-和-CF2CF(CF3)O-;并且

(iii)B选自由以下组成的组:-H、-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH2CH2CH2CH3、-C(O)CH3和-CF2CF2CF3

(b)甲硅烷基氢化物官能硅氧烷,其选自包含对于每个分子中每个硅氧烷单元在以下平均数范围下的以下硅氧烷单元的那些:

[R2HSiO1/2]m[R2SiO2/2]d[RSiO3/2]t[SiO4/2]q

其中下标d、t和q的总和为一或多大,并且其中:

(i)R在每次出现时独立地选自具有一至8个碳原子的烃基;

(ii)下标m为每个分子中R2HSiO1/2基团的平均数并且为2或更大;

(iii)下标d为每个分子中R2SiO2/2基团的平均数并且为零或更大并且20或更小;

(iv)下标t为每个分子中RSiO3/2基团的平均数并且为零或更大并且2或更小;

(v)下标q为每个分子中SiO4/2基团的平均数并且为零或更大并且2或更小;和

(c)铂基氢化硅烷化催化剂;

其中所述反应组合物中,相对于烯丙基官能团存在至少4摩尔当量的甲硅烷基氢化物官能团。

2.根据权利要求1所述的反应组合物,其中所述甲硅烷基氢化物官能硅氧烷的特征在于每个R为甲基。

3.根据前述权利要求中任一项所述的反应组合物,其中所述甲硅烷基氢化物官能硅氧烷具有下式:

[R2HSiO1/2]m[R2SiO2/2]d

其中m=2,d为每个分子中R2SiO2/2基团的平均数并且为一或更大并且16或更小;并且R在每次出现时独立地选自具有一至8个碳原子的烃基。

4.根据权利要求3所述的反应组合物,其中所述甲硅烷基氢化物官能硅氧烷的特征进一步在于d=1并且每个R为甲基。

5.根据前述权利要求中任一项所述的反应组合物,其中所述铂基氢化硅烷化催化剂的浓度相对于组合物重量为百万分之一重量份或更多。

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