[发明专利]图案形成装置调节系统以及方法

说明书

一种掩模版调节系统，包括：支撑结构，该支撑结构用于支撑掩模版；气体供应模块，该气体供应模块用于提供邻近于掩模版的气流；以及偏压模块，该偏压模块用于控制掩模版的电势。偏压模块包括第一电极、第二电极和电源。第一电极和第二电极每一个与掩模版间隔开，并且面向掩模版以与掩模版至少部分地重叠。电源被布置成将第一电极保持在正电压并且将第二电极保持在负电压，这些电压使得掩模版的电压为负。第二电极被设置成使得在使用中，第二电极不与掩模版的图像形成部分重叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月18日提交的EP申请19203978.2的优先权，该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及一种图案形成装置调节系统和相关方法。具体地，本发明涉及一种用于支撑(光刻设备内的)图案形成装置的系统，该系统被布置成图案形成装置被如此支撑时减少颗粒将入射到图案形成装置的机会。本发明还涉及相关方法。

背景技术

光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模或掩模版)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于可以例如使用波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4-20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

电磁辐射用于将图案形成装置的图像形成在衬底上。由于任何颗粒可能会对形成在衬底上的图像产生影响，因此重要的是尽可能将图案形成装置保持为没有污染颗粒。期望可以提供一种用于支撑光刻设备内的图案形成装置的系统，该系统被布置成当对图案形成装置进行支撑时减少颗粒将进入到图案形成装置的机会(例如相对于现有系统)。

期望可以至少部分地解决与现有技术系统相关的一个或多个问题，无论是以本文中讨论的方式还是以其他方式。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种用于光刻设备的图案形成装置调节系统，该图案形成装置调节系统包括：支撑结构，该支撑结构用于支撑图案形成装置，该支撑结构包括用于支撑图案形成装置的图像形成部分的第一部分以及用于支撑图案形成装置的非图像形成部分的第二部分；气体供应模块，该气体供应模块可操作成提供邻近于支撑结构的气流；以及偏压模块，该偏压模块用于在图案形成装置由支撑结构支撑时控制图案形成装置的电势，该偏压模块包括第一电极、第二电极和电源；其中，第一电极和第二电极每一个与支撑结构间隔开并且面向支撑结构，以与支撑结构至少部分地重叠；其中，电源被布置成将第一电极保持在第一正电压并且将第二电极保持在第二负电压；其中，第二电极被设置成使得第二电极与支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与支撑结构的第一部分重叠。

在使用中，图案形成装置可以由支撑结构支撑，并且可以由辐射(例如EUV辐射)照射以在衬底(例如，覆盖有抗蚀剂的硅晶片)上形成图案形成装置的图像。由于颗粒可能导致成像错误，因此可能需要防止颗粒与图案形成装置接触。

根据本发明第一方面的图案形成装置调节系统是有利的，现在将对此进行讨论。

首先，因为颗粒可以被夹带在气流中并且被运送远离图案形成装置，因此气流可以用于减少这种颗粒与图案形成装置接触的机会。然而，在使用中，当图案形成装置暴露于辐射时，辐射可使气体形成等离子体。随着这些颗粒移动通过等离子体，这些颗粒趋向于变为带负电(因为等离子体中的电子比等离子体中的离子具有更高的迁移率)。此外，在使用中，当将图案形成装置暴露于辐射时，图案形成装置可由于光电效应而稍微带正电。因此，可能产生作用于这些颗粒的朝向图案形成装置的偏压力，这是不希望发生的。