[发明专利]二次电池及其制造方法在审
| 申请号： | 202080071520.5 | 申请日： | 2020-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN114556652A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 荻田香;门间裕史;广濑智哉;米田祐美子;岩城裕司;高桥辰义;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M10/0525 | 分类号： | H01M10/0525;H01M10/058;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种二次电池，包括：
正极活性物质层、所述正极活性物质层上的缓冲层以及所述缓冲层上的固体电解质层，
其中，所述固体电解质层包含钛化合物，
所述正极活性物质层包含钴酸锂，
并且，所述缓冲层包含钛化合物。
2.一种二次电池，包括：
集流体上的基底膜、所述基底膜上的正极活性物质层、所述正极活性物质层上的缓冲层以及所述缓冲层上的固体电解质层，
其中，所述固体电解质层包含钛化合物，
所述正极活性物质层包含钴酸锂，
所述缓冲层包含钛化合物，
并且，所述基底膜包含钛化合物。
3.根据权利要求2所述的二次电池，
其中所述基底膜中的晶体结构和所述正极活性物质层中的晶体结构都具有只有阴离子排列的面。
4.根据权利要求2或3所述的二次电池，
其中所述基底膜为氮化钛。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的二次电池，
其中所述正极活性物质层包含镍、铝、镁及氟中的任一个以上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的二次电池，还包括：
所述固体电解质层上的负极活性物质层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的二次电池，
其中所述缓冲层为氧化钛。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的二次电池，
其中所述固体电解质层是多孔的。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的二次电池，
其中所述基底膜、所述正极活性物质层、所述缓冲层及所述固体电解质层利用溅射法形成。
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