[发明专利]高频放大器在审
| 申请号: | 202080071306.X | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN114556780A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
| 发明(设计)人: | 桥长达也;森山豊 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/195;H05K1/02 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高频放大器 | ||
一种高频放大器,包括:驱动放大器,将被输入的高频信号放大;以及多赫蒂放大器,包括载波放大器、峰值放大器,将所述驱动放大器所输出的信号进一步放大,所述高频放大器具有:第一多层基板;第二多层基板,与所述第一多层基板重合地层叠;以及基底构件,搭载所述第一多层基板和所述第二多层基板,所述驱动放大器搭载于所述第二多层基板,所述载波放大器、所述峰值放大器搭载于所述第一多层基板,所述驱动放大器、所述载波放大器以及所述峰值放大器分别具有形成了规定的电路的表面和位于所述表面的相反侧的背面,所述驱动放大器的所述表面与所述第一多层基板对置,所述驱动放大器的所述背面被配置为与所述第一多层基板分离,所述载波放大器和所述峰值放大器的背面均与所述基底构件相接,所述驱动放大器的所述背面连接于配置在所述第二多层基板表面的布线层,所述布线层连接于贯通所述第二多层基板和所述第一多层基板的第一过孔的一端,所述第一过孔的另一端连接于所述基底构件。
技术领域
本公开涉及一种高频放大器。
本申请主张基于在2020年1月10日提出申请的日本申请第2020-002865号和在2020年2月13日提出申请的日本申请第2020-022128号的优先权,并引用所述日本申请所记载的所有记载内容。
背景技术
近年来,在便携式电话等的移动通信系统中,正在推进宽频带化。因此,对于在系统的基站装置等中使用的功率放大器,期望宽频率频带中的功率效率的高效率化等。作为用于实现该功率效率的高效率化的功率放大器,已知具有载波放大器(也称为主放大器)和峰值放大器的多赫蒂(Doherty)放大器。例如,在专利文献1中公开了多赫蒂放大器(多赫蒂型放大器)的构造。需要说明的是,多赫蒂放大器通常连接于驱动放大器的后级来使用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2005/093948号
专利文献2:日本特开2008-305937号公报
发明内容
本公开的一个方案的高频放大器包括:驱动放大器,将被输入的高频信号放大;以及多赫蒂放大器,包括载波放大器、峰值放大器,将所述驱动放大器所输出的信号进一步放大,所述高频放大器具有:第一多层基板;第二多层基板,与所述第一多层基板重合地层叠;以及基底构件,搭载所述第一多层基板和所述第二多层基板,所述驱动放大器搭载于所述第二多层基板,所述载波放大器、所述峰值放大器搭载于所述第一多层基板,所述驱动放大器、所述载波放大器以及所述峰值放大器分别具有形成了规定的电路的表面和位于所述表面的相反侧的背面,所述驱动放大器的所述表面与所述第一多层基板对置,所述驱动放大器的所述背面被配置为与所述第一多层基板分离,所述载波放大器和所述峰值放大器的背面均与所述基底构件相接,所述驱动放大器的所述背面连接于配置在所述第二多层基板表面的布线层,所述布线层连接于贯通所述第二多层基板和所述第一多层基板的第一过孔的一端,所述第一过孔的另一端连接于所述基底构件。
本公开的一个方案的高频放大器包括:第一放大器,将被输入的高频信号放大;以及第二放大器和第三放大器,将所述第一放大器所输出的信号进一步放大,所述高频放大器具有:第一多层基板;第二多层基板,与所述第一多层基板重合地层叠;以及基底构件,搭载所述第一多层基板和所述第二多层基板,所述第一放大器搭载于所述第二多层基板,所述第二放大器、所述第三放大器搭载于所述第一多层基板,所述第一放大器、所述第二放大器以及所述第三放大器分别具有形成了规定的电路的表面和位于所述表面的相反侧的背面,所述第一放大器的所述表面与所述第一多层基板对置,所述第一放大器的所述背面被配置为与所述第一多层基板分离,所述第二放大器和所述第三放大器的背面均与所述基底构件相接,所述第一放大器的所述背面连接于配置在所述第二多层基板表面的布线层,所述布线层连接于贯通所述第二多层基板和所述第一多层基板的第一过孔的一端,所述第一过孔的另一端连接于所述基底构件,所述第一放大器的电力消耗比所述第二放大器和所述第三放大器各自的电力消耗小。
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