[发明专利]电光调制器

权利要求书

1.一种基于金属氧化物半导体电容器MOSCAP的电光调制器，其包括：

输入波导；

调制区域，所述调制区域耦合到所述输入波导；以及

输出波导，所述输出波导耦合到所述调制区域；

其中所述调制区域包括n-i-p-n结，所述n-i-p-n结包括：

第一n掺杂区域，所述第一n掺杂区域通过本征区域与p掺杂区域间隔开；以及第二n掺杂区域，所述第二n掺杂区域通过所述p掺杂区域与所述本征区域间隔开并且在所述本征区域的与所述第一n掺杂区域相对的一侧上。

2.根据权利要求1所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域比所述第一n掺杂区域或所述第二n掺杂区域中的任一者或两者薄。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域的厚度等于所述本征区域的厚度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域的厚度小于200nm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域的厚度小于100nm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述本征区域由氧化物形成。

7.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其还包括连接到所述第一n掺杂区域的第一电极和连接到所述第二n掺杂区域的第二电极。

8.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述本征区域以斜角延伸穿过所述调制区域。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述n-i-p-n结是竖直结，使得所述第一n掺杂区域是最下层，并且所述第二n掺杂区域是最上层。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述n-i-p-n结是水平结，其中所述第一n掺杂区域在所述调制器的第一横向侧上，并且所述第二n掺杂区域在所述调制器的第二横向侧上。

11.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述调制器具有在30GHz至40GHz范围内的工作带宽。

12.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述第一n掺杂区域、所述第二n掺杂区域和所述p掺杂区域由相同的半导体材料形成。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述第一n掺杂区域由与所述第二n掺杂区域和所述p掺杂区域不同的半导体材料形成。

14.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述第一n掺杂区域、所述第二n掺杂区域和所述p掺杂区域中的至少一者由III-V半导体形成。

15.根据权利要求14所述的MOSCAP调制器，其中所述III-V半导体是磷化铟。

16.一种用于制造MOSCAP调制器的方法，所述方法包括在衬底上：

生长第一半导体区域并对其掺杂n型掺杂剂以形成第一n掺杂区域；

在所述第一n掺杂区域的第一表面上生长绝缘体；

在所述绝缘体的第二表面上生长第二半导体区域，所述第一表面与所述第二表面相对；

对所述第二半导体区域的第一部分掺杂p型掺杂剂以邻近所述绝缘体形成p掺杂区域；以及

对所述第二半导体区域的第二部分掺杂n型掺杂剂以邻近所述p掺杂区域形成n掺杂区域。