[发明专利]模拟前端接收器有效
| 申请号: | 202080063704.7 | 申请日: | 2020-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN114450674B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
| 发明(设计)人: | 段营;周世伟;M·B·谢克;H·党;A·迪克西特 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40;G06F13/20;H02H9/04;H03K3/023 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫昊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 模拟 前端 接收器 | ||
1.一种设备,包括:
一个或多个IO输入;
第一接收器,耦合到第一电源电压和所述一个或多个IO输入,其中所述第一接收器包括厚氧化物晶体管;
隔离电路,耦合到所述一个或多个IO输入,其中所述隔离电路包括厚氧化物晶体管;以及
第二接收器,耦合到所述隔离电路和第二电源电压,其中所述第二接收器包括薄氧化物晶体管,其中所述第一接收器被配置为在所述隔离电路被配置为将所述一个或多个IO输入耦合到所述第二接收器时被禁用,并且其中所述第一接收器被配置为在所述隔离电路被配置为将所述一个或多个IO输入与所述第二接收器解耦时被启用。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电源电压高于所述第二电源电压。
3.根据权利要求1所述的设备,还包括耦合到所述第一接收器和所述隔离电路的使能信号。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述隔离电路被配置为响应于所述使能信号而将所述一个或多个IO输入与所述第二接收器解耦。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述隔离电路被配置为在所述第二接收器被禁用时将所述一个或多个IO输入与所述第二接收器解耦。
6.根据权利要求3所述的设备,其中所述使能信号的逻辑高电平处于所述第一电源电压。
7.根据权利要求3所述的设备,其中所述使能信号被配置为耦合到所述第二接收器。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述第一接收器被配置为在所述第二接收器被启用时被禁用,并且所述第二接收器被配置为在所述第一接收器被启用时被禁用。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二接收器被配置为与所述第一接收器相比以较高数据速率操作。
10.根据权利要求1所述的设备,还包括耦合到所述一个或多个IO输入的静电放电ESD电路系统。
11.根据权利要求1所述的设备,其中所述一个或多个IO输入包括第一IO输入和第二IO输入,并且其中所述隔离电路包括耦合到所述第一IO输入的第一隔离电路和耦合到所述第二IO输入的第二隔离电路。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述第一隔离电路包括传输门,所述传输门具有耦合到所述第一IO输入的传输门输入、和耦合到所述第二接收器的差分输入的传输门输出、以及耦合到使能信号的传输门控制。
13.根据权利要求12所述的设备,其中所述第一隔离电路还包括上拉门,所述上拉门具有耦合到所述使能信号的栅极,其中所述上拉门被配置为响应于所述使能信号而将所述差分输入拉至所述第二电源电压。
14.根据权利要求13所述的设备,其中所述传输门被配置为在所述上拉门被配置为响应于所述使能信号而被禁用时被启用,并且其中所述传输门被配置为在所述上拉门被配置为响应于所述使能信号而被启用时被禁用。
15.根据权利要求11所述的设备,其中所述第二接收器包括通过所述第一隔离电路和所述第二隔离电路耦合到所述第一IO输入和所述第二IO输入的差分对。
16.根据权利要求15所述的设备,其中所述差分对包括两个PMOS晶体管。
17.根据权利要求11所述的设备,其中所述第一隔离电路包括源极跟随器,所述源极跟随器具有耦合到所述第一IO输入的输入和耦合到所述第二接收器的差分输入的输出。
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