[发明专利]在对准中用以减小标记大小的相位调制器在审
| 申请号: | 202080055723.5 | 申请日: | 2020-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN114207530A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | F·G·C·比基恩;M·艾莱伊普;S·R·胡伊斯曼;A·J·登鲍埃夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 对准 用以 减小 标记 大小 相位 调制器 | ||
1.一种对准设备,包括:
照射系统,所述照射系统被配置成产生一个或更多个照射束、朝向对准目标引导所述一个或更多个照射束且接收从所述对准目标反射的一个或更多个衍射束,其中所述一个或更多个衍射束至少包括一个正衍射阶或一个负衍射阶;
自参考干涉仪,所述自参考干涉仪被配置成接收所述一个或更多个衍射束且产生衍射子束,其中所述衍射子束被正交地偏振、相对于彼此围绕对准轴线旋转180度且在空间上叠置;
束分析器,所述束分析器被配置成产生所述衍射子束的叠置分量之间的干涉强度且产生两个正交偏振的光学支路;以及
检测系统,所述检测系统被配置成基于所述光学支路的光强度测量来确定所述对准目标的位置,其中所测量的光强度由相位调制器调制。
2.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述照射系统还被配置成在光瞳平面中在直径上彼此相反的第一位置和第二位置处产生离轴照射束。
3.根据权利要求2所述的对准设备,其中所述离轴照射束由所述相位调制器调制。
4.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器调制从所述对准目标反射的衍射束的正衍射阶或负衍射阶。
5.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器调制由所述束分析器产生的光学支路。
6.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器在所述检测系统的输入处调制所述对准目标的图像。
7.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器是通过对压电材料施加电信号来产生相位调制的压电反射镜组件。
8.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器包括液晶调制器、光弹性调制器、电光调制器、铁电液晶、微反射镜阵列或数字化空间光调制器。
9.根据权利要求8所述的对准设备,其中所述液晶调制器是磷酸二氘钾(KD*P)晶体。
10.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器包括覆盖所述光瞳平面的一半以改变所述正衍射阶和所述负衍射阶的偏振状态的波片。
11.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器包括透射区和偏转区,其中每个区包括两个在直径上相反的象限,并且所述偏转区以变化的厚度被楔形成形。
12.根据权利要求1所述的对准设备,其中所述相位调制器产生离轴照射束的频率调制。
13.根据权利要求12所述的对准设备,其中所述相位调制器是声光调制器。
14.根据权利要求12所述的对准设备,其中所述相位调制器是内部光栅且所述离轴照射束的所述频率调制通过扫描所述内部光栅来产生。
15.根据权利要求12所述的对准设备,其中所述相位调制器是半波片且所述离轴照射束的所述频率调制通过使所述半波片旋转来产生。
16.一种光刻设备,包括:
照射系统,所述照射系统被配置成照射图案形成装置;
投影系统,所述投影系统被配置成将所述图案形成装置的图像投影至晶片上;以及
对准系统,所述对准系统包括:
照射系统,所述照射系统被配置成产生一个或更多个照射束、朝向对准目标引导所述一个或更多个照射束且接收从所述对准目标反射的一个或更多个衍射束,其中所述一个或更多个衍射束至少包括一个正衍射阶或一个负衍射阶;
自参考干涉仪,所述自参考干涉仪被配置成接收所述一个或更多个衍射束且产生衍射子束,其中所述衍射子束被正交地偏振、相对于彼此围绕对准轴线旋转180度且在空间上叠置;
束分析器,所述束分析器被配置成产生所述衍射子束的叠置分量之间的干涉强度且产生两个正交偏振的光学支路;以及
检测系统,所述检测系统被配置成基于所述光学支路的光强度测量来确定所述对准目标的位置,其中所测量的光强度由相位调制器调制。
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