[发明专利]用于去除蚀刻残留物的组合物、其使用方法及用途在审
申请号: | 202080051185.2 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN114127230A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 孙来生;王莉莉;吴爱萍;李翊嘉;陈天牛 | 申请(专利权)人: | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 去除 蚀刻 残留物 组合 使用方法 用途 | ||
1.一种用于半导体衬底的清洁组合物,其包含:
(i)具有两个或更多个或者多于两个烷醇基团的烷醇胺;
(ii)α-羟基酸;和
(iii)水。
2.根据权利要求1所述的清洁组合物,包含两种或更多种烷醇胺,其中所述烷醇胺的两种具有两个或多于两个烷醇基团。
3.根据权利要求1所述的清洁组合物,包含两种或更多种烷醇胺,其中所述烷醇胺的第一种具有两个或更多个或者多于两个烷醇基团,并且所述烷醇胺的第二种具有一个烷醇基团。
4.根据权利要求2或3所述的清洁组合物,所述清洁组合物具有三种烷醇胺。
5.根据前述权利要求中任一项所述的清洁组合物,其中所述具有两个或更多个烷醇基团的烷醇胺选自N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺(TEA)、叔丁基二乙醇胺及其混合物。
6.根据权利要求3所述的清洁组合物,其中所述具有一个烷醇基团的烷醇胺选自单乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、异丙醇胺、2-氨基-1-丙醇、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-1-丁醇、异丁醇胺、2-氨基-2-乙氧基丙醇、2-氨基-2-乙氧基乙醇及其混合物。
7.根据前述权利要求中任一项所述的清洁组合物,其中所述α-羟基羧酸包含一个或多于一个酸基团(-COOH)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的清洁组合物,其中所述α-羟基羧酸具有以下结构:
其中R1和R2可以独立为H、芳香族或非芳香族和/或饱和的或不饱和的碳环;或直链、支链或环状烷基。
9.根据前述权利要求中任一项所述的清洁组合物,其中所述α-羟基羧酸选自柠檬酸、丙醇二酸、糖酸、酒石酸、二羟基丙二酸及其混合物。
10.根据前述权利要求中任一项所述的清洁组合物,其中所述α-羟基羧酸选自乙醇酸、乳酸、苹果酸、葡萄糖酸、甘油酸、扁桃酸及其混合物。
11.根据前述权利要求中任一项所述的清洁组合物,所述清洁组合物进一步包含腐蚀抑制剂。
12.根据权利要求11所述的清洁组合物,其中所述腐蚀抑制剂选自苯酚或苯酚的衍生物、三唑或三唑的衍生物、多官能的有机酸或氨基酸或其混合物。
13.一种用于半导体衬底的清洁组合物,其基本上由以下组成:
(i)具有两个或更多个或者多于两个烷醇基团的烷醇胺;
(ii)α-羟基酸;和
(iii)水。
14.根据权利要求13所述的清洁组合物,其中所述具有两个或更多个烷醇基团的烷醇胺选自N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺(TEA)、叔丁基二乙醇胺及其混合物。
15.根据权利要求13或14中任一项所述的清洁组合物,其中所述α-羟基羧酸包含一个或多于一个酸基团(-COOH)。
16.根据权利要求13或14中任一项所述的清洁组合物,其中所述α-羟基羧酸具有以下结构:
其中R1和R2可以独立为H、芳香族或非芳香族和/或饱和的或不饱和的碳环;或直链、支链或环状烷基。
17.根据权利要求13或14中任一项所述的清洁组合物,其中所述α-羟基羧酸选自柠檬酸、丙醇二酸、糖酸、酒石酸、二羟基丙二酸及其混合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗萨姆材料美国有限责任公司,未经弗萨姆材料美国有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080051185.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机热传递系统、方法和流体
- 下一篇:监测放射性废物中放射性核素含量的方法