[发明专利]用于制造电子电力模块的方法在审
| 申请号： | 202080032723.3 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113767456A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 巴普蒂斯泰·乔艾尔·克里斯汀·费迪;拉比赫·克哈扎卡;托尼·姚瑟夫;皮埃尔·金·萨洛特 | 申请（专利权）人： | 赛峰公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/495;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆;李有财 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电子 电力 模块 方法 | ||
1.用于通过增材制造来制造电力电子模块(1)的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
-在绝缘衬底(2a)的至少一个面上制作或固定聚合物材料的预成型体(15)，所述绝缘衬底被覆盖有至少一个金属层(2b、2c)，被称为金属化衬底(2)，
-在所述预成型体(15)上沉积第一金属层(17)，
-通过电成型而在所述第一金属层(17)上沉积第二金属层(18)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括通过化学或热学手段溶解聚合物材料的预成型体(15)的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法包括在所述金属化衬底(2a)上组装例如半导体电力组件(3)的有源组件的步骤。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括在沉积所述第一金属层(17)之前保护所述金属化衬底(2a)的至少一个区域的步骤。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其特征在于，所述金属化衬底(2)包括至少一个陶瓷的绝缘层(2a)。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属层(17)的厚度小于5微米，优选地小于1微米。
7.根据权利要求1和3所述的方法，其特征在于，所述电力电子模块(1)包括外壳(7)，所述金属化衬底(2)和所述有源组件(3)容纳在所述外壳中，所述方法包括至少部分地用电绝缘材料(10)填充所述外壳的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
