[发明专利]硼硅酸盐光提取区域

说明书

本发明涉及具有光提取层(16)的光提取基底(10)。所述光提取层(16)包含硼、硼酸盐和/或硼硅酸盐以及纳米颗粒(18)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月7日提交的美国专利申请第16/295,566号的优先权，通过引用将其公开内容整体并入本文。

发明背景

发明领域

本发明涉及在基底(例如玻璃或玻璃带)之内或上方形成硼硅酸盐层，并且任选地将纳米颗粒嵌入于硼硅酸盐层中。本发明还涉及有机发光二极管、太阳能电池或光伏(PV)电池、采光窗，并且更具体地涉及具有增加的光散射的基底，以实现改善的光利用。

相关技术的描述

有机发光二极管(“OLED”)是具有包含有机化合物的发射电致发光层的发光装置。有机化合物响应于电流而发光。典型地，有机半导体材料的发射层位于两个电极(阳极和阴极)之间。当电流在阳极和阴极之间通过时，有机材料发光。OLED用于许多应用中，例如电视屏幕、计算机监视器、移动电话、PDA、手表、照明和各种其它电子装置。

OLED提供优于常规无机装置(例如液晶显示器)的许多优点。例如，OLED在不需要背光的情况下起作用。在诸如黑暗房间的低环境光中，OLED屏幕能够实现比常规液晶显示器更高的对比度。OLED也比液晶显示器和其它照明装置更薄、更轻和更柔韧。

在制造OLED中，人们典型添加光提取区域，其中纳米颗粒部分地或完全地嵌入该光提取区域内。例如，纳米颗粒可以嵌入基底内。当基底是玻璃时，必须在基底温度大于725℃、典型大于800℃时嵌入纳米颗粒。需要在玻璃带处于较低温度(例如小于或等于725℃)时将纳米颗粒嵌入到玻璃基底中。

发明概述

本发明涉及一种光提取基底。该基底包括玻璃。所述玻璃具有第一表面和与第一表面相反的第二表面。光提取层位于第一表面上方。光提取层包含硼硅酸盐。光提取层可以包含纳米颗粒或可以不包含纳米颗粒。光提取基底可进一步包含在基底的第二表面上方或者在第二表面上的外部光提取层。内部光提取层可以是基底的一部分，或者可以是基底上方的分离层。

在另一实施方案中，本发明涉及一种有机发光二极管(“OLED”)。所述OLED包含具有第一表面和第二表面的基底。所述第二表面与第一表面相反。光提取层位于基底的第一表面上方。所述光提取层包含硼硅酸盐层。透明导电氧化物层位于光提取层的至少一部分上方。发射层位于透明导电氧化物层的至少一部分上方。阴极层位于发射层的至少一部分上方。

本发明的另一实施方案涉及一种制造光提取基底的方法。该方法包括将玻璃熔体倒在熔融金属浴上。在玻璃熔体具有至少600℃且不大于725℃的温度时，在玻璃熔体上方施加硼前体。

本发明的另一实施方案涉及一种制造光提取基底的方法。该方法包括将玻璃熔体倒在熔融金属浴上。所述玻璃熔体包含硅。在玻璃熔体具有至少600℃且不大于725℃的温度时，在玻璃熔体上方施加硼前体。玻璃熔体内的硅与硼前体反应从而在玻璃熔体上方形成硼硅酸盐。

本发明的另一实施方案涉及一种制造光提取基底的方法。该方法包括将玻璃熔体倒在熔融金属浴上。该玻璃熔体包含硅。在玻璃熔体具有小于725℃的温度时，在玻璃熔体上方施加硼前体。在玻璃熔体上方施加硅前体，其中所述玻璃熔体具有小于725℃的温度。硅前体和硼前体在玻璃熔体上方或之内形成硼硅酸盐。

附图说明

图1a是在基底的第一表面上方具有光提取层的基底的侧视截面图。

图1b是在第一表面处具有嵌入基底内的光提取层的基底的侧视截面图。

图2a是基底的侧视截面图，其中该基底的第一表面上方具有光提取层，并且该基底的第二表面之上或上方具有外部光提取区域层。