[发明专利]高功率双面薄膜滤波器有效
申请号: | 202080020454.9 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN113557664B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 迈克尔·马雷克;埃莉诺·奥尼尔;罗内特·尼西姆 | 申请(专利权)人: | 京瓷AVX元器件公司 |
主分类号: | H03H9/58 | 分类号: | H03H9/58;H03H7/075 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 双面 薄膜 滤波器 | ||
1.一种高功率薄膜滤波器,所述高功率薄膜滤波器包括:
基板,所述基板具有第一表面和在Z方向上与所述第一表面相反的第二表面;
薄膜电容器,所述薄膜电容器形成于所述基板的所述第一表面之上;
薄膜电感器,所述薄膜电感器在Z方向上至少通过所述基板与所述薄膜电容器间隔开;
过孔,所述过孔形成在所述基板中并电连接所述薄膜电容器和所述薄膜电感器,所述过孔包括聚合组合物;以及
介电层,所述介电层设置在所述基板的所述第一表面之上,所述介电层具有第一表面和第二表面,所述介电层的所述第二表面面向所述基板的所述第一表面,
其中,所述薄膜电容器包括形成在所述基板的所述第一表面之上的第一电极和形成在所述介电层的所述第一表面之上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述过孔包括形成在所述基板的内表面之上的导电层,所述导电层从所述基板的所述第一表面延伸通过所述基板至所述基板的所述第二表面。
3.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述过孔在与所述Z方向垂直的X-Y平面中具有过孔宽度,且所述基板在所述Z方向上具有基板厚度,且所述基板厚度与所述过孔宽度之比小于7。
4.根据权利要求1所述的滤波器,其中,在所述Z方向上所述基板的基板厚度大于300微米。
5.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述过孔宽度大于100微米。
6.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述聚合组合物包括环氧树脂。
7.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述聚合组合物包括氧化铝颗粒。
8.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述聚合组合物包括导电颗粒。
9.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述基板包括蓝宝石。
10.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述薄膜电感器包括导电层,所述导电层在垂直于所述Z方向的X-Y平面中具有宽度,所述导电层的所述宽度大于40微米。
11.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述薄膜电感器包括导电层,所述导电层在所述Z方向上具有大于10微米的厚度。
12.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述薄膜电感器包括导电层,所述导电层形成具有大于200微米的单环直径的线圈。
13.根据权利要求1所述的滤波器,所述滤波器还包括多个接触垫,所述接触垫沿着所述滤波器的底表面暴露,用于将所述滤波器安装到安装表面。
14.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述滤波器具有大于15W的功率容量。
15.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述滤波器具有大于0.6W/mm2的面积功率容量。
16.根据权利要求1所述的滤波器,其中,所述滤波器具有长度和宽度,且其中所述长度大于所述宽度,且其中所述长度小于14mm。
17.根据权利要求1所述的滤波器,所述滤波器还包括设置在所述基板的所述第二表面之上的介电层,所述介电层具有第一表面和第二表面,所述介电层的所述第二表面面向所述基板的所述第二表面,且其中,所述薄膜电感器包括形成在所述基板的所述第一表面之上的第一导电层、形成在所述介电层的所述第二表面之上的第二导电层,以及连接所述第一导电层与所述第二导电层的过孔。
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