[发明专利]改进的高温芯片

权利要求书

1.一种温度传感器，特别是高温传感器，具有：涂层衬底(16)，其中所述衬底(16)包含氧化锆或氧化锆陶瓷；至少一个电阻结构(11)和至少两个连接触点(12、13)，其中所述连接触点(12、13)电性接触所述电阻结构(11)，其中所述衬底(16)涂有绝缘层(17)，其中所述绝缘层(17)包含金属氧化物层，所述电阻结构(11)和所述绝缘层(17)的未设置电阻结构(11)的自由区域至少局部地涂有陶瓷中间层(18)，并且在所述陶瓷中间层(18)上设有保护层(19)和/或盖体(20)，其特征在于，

在所述绝缘层(17)中形成至少一个开口(30、30a-d)，所述开口至少部分地暴露出所述衬底(16)的表面。

2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，

所述的一个开口(30、30a-d)和/或数个开口(30、30a-d)呈缝隙形，其中缝隙宽度优选介于5μm与1mm之间，优选介于10μm与300μm之间，特别优选地介于20μm与100μm之间。

3.根据权利要求2所述的温度传感器，其特征在于，

所述缝隙形开口(30、30a-d)的纵向延伸平行于且/或垂直于所述衬底(16)的纵向延伸，并且/或者，多个缝隙形开口(30、30a-d)的纵向延伸相互平行。

4.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，

所述的一个开口(30、30a-d)和/或数个开口(30、30a-d)暴露出所述衬底(16)的至少一个侧表面。

5.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述的一个开口(30)和/或数个开口(30)完全包围所述电阻结构(11)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述一个开口(30a-d)和/或所述数个开口(30a-d)中的另一个开口部分地框住所述电阻结构(11)的所述两个连接触点(12、13)中的至少一个。

7.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述的一个开口(30、30a-d)和/或数个开口(30、30a-d)中填充有所述保护层(19)的材料。

8.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，所述氧化锆或所述氧化锆陶瓷中的氧化锆是用三价金属和五价金属的氧化物来稳定的，并且/或者，至少在一个连接触点(12、13)处，至少一个电极(14、15)布置在所述绝缘层(17)上的所述电阻结构(11)旁边，其中所述的一个电极(14、15)或数个电极(14、15)与所述电阻结构(11)一体形成。

9.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，

所述绝缘层(17)是氧化铝层。

10.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，

所述陶瓷中间层(18)的厚度介于1μm与50μm之间，优选介于4μm与10μm之间。

11.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，

所述保护层(19)包含玻璃或玻璃陶瓷，并且/或者，所述盖体(20)是陶瓷片。

12.根据上述权利要求中任一项所述的温度传感器，其特征在于，

所述电阻结构(11)包含铂材料或铂合金，特别是铂基合金。