[发明专利]辐射系统

说明书

辐射系统包括辐射源(SO)和等离子体产生器(16)。所述辐射源包括：壳体(9)，所述壳体设置有出口孔(8)；和辐射产生器，所述辐射产生器能够操作以在所述壳体中产生输出辐射并且引导所述输出辐射的至少一部分穿过所述出射孔。所述等离子体产生器能够操作以产生等离子体(18)，所述等离子体至少部分地延伸横穿所述输出辐射的被引导通过所述出射孔的所述至少一部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月8日递交的欧洲申请号19156096.0的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及包括辐射源的辐射系统。所述辐射源可以例如是极紫外(EUV)激光产生式等离子体(LPP)源。特别地，本发明涉及设置有用于至少部分地滤除一个或更多个光谱分量和/或颗粒碎屑的机构的辐射系统。所述辐射系统可以在光刻场中获得应用。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小尺寸。与使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备相比，使用极紫外(EUV)辐射(具有在4nm至20nm的范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm的波长)的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。

光刻系统可以包括辐射源和光刻设备，所述辐射源是能够操作以产生辐射束的辐射源，所述光刻设备能够操作以接收所述辐射束并使用所述辐射束在衬底上形成图案形成装置的图像(例如，衍射受限图像)。在EUV光刻场中使用的一种已知类型的辐射源是LPP辐射源。

不论是否在本文中以其它方式标识，可以期望提供至少部分地解决与现有技术布置相关联的一个或更多个问题的新的辐射系统、以及相关联的操作方法。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种系统，包括：辐射源，所述辐射源包括：壳体，所述壳体设置有出射孔；和辐射产生器，所述辐射产生器能够操作以在所述壳体中产生输出辐射并且引导所述输出辐射的至少一部分穿过所述出射孔；以及等离子体产生器，所述等离子体产生器能够操作以产生等离子体，所述等离子体至少部分地延伸横穿所述输出辐射的被引导通过所述出射孔的所述至少一部分。

所述输出辐射可以包括极紫外(EUV)辐射。根据本发明的第一方面的系统是有利的，如现在所论述的。

所述系统可以形成光刻系统的一部分。可以期望由所述辐射源输出的所述辐射具有期望的波长和带宽。例如，可以期望由所述辐射源输出的所述辐射包括EUV辐射。此外，可以期望抑制具有期望的带宽之外的波长的任何带外辐射。

由于由所述等离子体产生器产生的等离子体至少部分地延伸横穿所述输出辐射的被引导通过所述出射孔的至少一部分，因此，所述输出辐射的被引导通过所述出射孔的至少一部分将入射到所述等离子体上。所述等离子体产生器可以被配置成使得所述等离子体滤除至少一些带外辐射。以这种方式，所述等离子体可以被配置成增加由所述辐射源输出的辐射的光谱纯度。

对于使用激光产生式等离子体(LPP)源来产生EUV辐射的EUV光刻设备，已知使用LPP源下游的光谱纯度滤波器(例如，LPP源的中间焦点下游的光谱纯度滤波器)来滤除带外辐射，然而，已发现由于光的大功率密度和不均匀性而导致这些滤波器不能幸存。有利地由于根据本发明的第一方面的系统使用等离子体作为滤波器，因此不存在这样的损坏阈值问题。