[发明专利]一种晶体生长方法和装置有效
| 申请号： | 202080004445.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN112585304B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王宇;杨田;梁振兴;李敏 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 袁春晓 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 方法 装置 | ||
1.一种3C-SiC晶体生长方法，其特征在于，包括：
将3C-SiC籽晶和块体目标源材料置于晶体生长装置的生长腔体中；
加热所述生长腔体使其温度升至1850℃；
将2块块体备选源材料放置在所述晶体生长装置的第一区域并升温至1700℃；
基于所述籽晶和所述目标源材料，通过物理气相传输法生长晶体；
当所述目标源材料升华分解20小时后，进行替换，其中，
在替换前，将所述第一区域加热到与所述生长腔体相同的温度并保温1小时，
进行替换时，将所述第一区域中的一块备选源材料推进至所述生长腔体中，推进速度为100mm/h，
将所述备选源材料完全推入所述生长腔体后，使其升华分解20h，再进行替换；
对升华后的目标源材料进行2次替换后，生长得到3C-SiC晶锭。
2.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述块体材料的形状为正方体、长方体或不规则块体。
3.根据权利要求1或2所述的晶体生长方法，其特征在于，所述块体材料的厚度小于预设厚度阈值。
4.根据权利要求1或2所述的晶体生长方法，其特征在于，所述块体材料的厚度为30-40mm。
5.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述目标源材料和/或所述备选源材料通过处理过程得到，所述处理过程包括：
对粉末源材料进行压制、烧结、抛光、吹洗中的一种或多种处理，得到所述目标源材料和/或所述备选源材料。
6.根据权利要求5所述的晶体生长方法，其特征在于，所述烧结处理的处理条件为惰性气氛条件。
7.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述升华后的目标源材料离开所述生长腔体并进入所述晶体生长装置的第二区域。
8.根据权利要求7所述的晶体生长方法，其特征在于，所述第二区域的温度低于所述生长腔体的温度且所述第二区域与所述生长腔体的温度差小于第二预设温度阈值。
9.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述方法还包括：
在晶体生长过程中，判断是否满足第二预设条件；以及
当满足第二预设条件时，以特定速率提拉生长中的晶体，其中，所述特定速率与所述生长中的晶体的生长速率相等，且提拉的方向为所述晶体在轴向方向上生长的反方向。
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